中子辐照剂量对NTDCZSi中内吸除效应的影响.pdfVIP

中子辐照剂量对NTDCZSi中 内吸除效应的影响去 牛萍娟料李养贤刘彩池曲静萍鞠玉林 (河北工业大学半导体材料研究所，天津300130) 摘要 本文采用化学腐蚀观察、透射电子显微镜及计算机辅助分析等手段对不同快中子辐照 剂量直拉硅中的内吸除效应进行r研究。结果表明：在相同的退火温度和时间F，辐照剂 ． 量越大，清洁区宽度越窄。通过对数据曲线的拟台，本文得出了在950C～1150℃几个温 度下退火的清洁区宽度的定量表达式：同时认为空位在NTDCZSi中的扩散被加快，高温 F氧沉淀以非均匀成核为主，辐照引入的空位型缺|5}；由=r可以释放沉淀生眭过程中的失配 应力而作为非均匀成核的核心，加快了氧沉淀的过程。 关键词：中子辐照，直拉硅，内吸除，清洁区 利用体内氧沉淀可以抑制表面氧化层错，对硅片袭面15N20pITl区域内的电活性杂质 进行内吸除(IG)，其目的就是为了实现对缺陷的控制和利用，提高电路的成品率。与外 吸除相比，由于IG