《模拟电子技术基础》(第四版)_第1章.ppt

教材: 童诗白 《模拟电子技术基础》 主讲: 蒋宏 14 (O) 新主楼 E1115 Communication 四、模电成绩如何算 作业：１０％ 期末考试：９０％ 参考课堂和答疑表现 作业：每周交 1 次，全交，有参考解答 对于杂质半导体，多子浓度约等于所掺杂质浓度，多子浓度受温度影响小； 少子（本征激发）浓度受温度影响大； 　载流子的两种运动： 扩散——载流子在浓度差作用下的运动 　载流子总是从高浓度向低浓度扩散 飘移——载流子在电场作用下的运动 　电子逆电场方向运动 　空穴顺电场方向运动 　多子扩散－＞形成空间电荷区－＞有利少子向对方漂移、阻挡多子向对方扩散， 　少子向对方的漂移－＞空间电荷区变窄－＞有利于多子向对方扩散； 　当多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定，形成PN结。 作业: 1.9(1.6), 1.11() e区的多子扩散而导电 ube=h11ib+h12uce ic=h21ib+h22uce h11=ube/ib|uce=0 =rbe h21=ic/ib|uce=0=? h12=ube/uce|ib=0?0 h22=ic/uce|ib=0=1/rce ?0 ? = ? iC ? iB UCE=常数 Q Q 晶体管的基本放大应用