1 第1章绪论 第3章二极管.ppt

3.2.3 PN结的单向导电性 3. PN结V-I 特性的表达式 PN结最高温度限制： 当温度升高到一定程度，本征激发产生的少子浓度可能达到或超过掺杂（多子）浓度，杂质半导体变得和本征半导体一样，PN结消失。 硅( Si ) ：约为（150～200℃） 锗( Ge) ：约为（75～100℃） (3) 平面型 (2) 面接触型 符 号 电路符号（电气图用） 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 理想二极管符号 ∕旧的电路符号 PN结面积大，极间电容大。 适合整流，不适合高频。 集成电路中 3.3.2 二极管的V-I特性 1. 正向特性 门坎电压(死区电压)：室温下 硅管Vth＝(0.5~0.6)V 锗管Vth ＝(0.1~0.2)V 导通电压VD(on) ： 硅管0.7V；锗管0.2V 。 Vth (th_threshold) 非线性 器件！ 单向导电性(主要的) 导通后的非线性 2. 反向特性 反向饱和电流： 硅管： 0.1μA 锗管： 几十μA 反向电流随温度升高 明显增加 3. 反向击穿特性 3.3.3 二极管的主要参数 1. IF——最大整流电流 2. VBR—