1-晶体二极管及其基本电路.ppt

本征载流子浓度： 载流子浓度：载流子浓度越大，复合的机会就越多。在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生与复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。 说明 随着T的增加，载流子浓度按指数规律增加——对温度非常敏感。 在T=300K的室温下， 本征硅（锗）的载流子浓度= 1.43×1010㎝-3（2.38×1013㎝-3）， 本征硅（锗）的原子密度= 5×1022㎝-3 （4.4×1022㎝-3）。 相比之下，室温下只有极少数原子的价电子(三万亿分之一)受激发产生电子、空穴对。 结论： 本征半导体的导电能力是很弱的； 本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大，所以其导电性能对温度的变化很敏感。 在本征半导体中掺入微量的元素（称为杂质），会使其导电性能发生显著变化——杂质半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为 N型半导体和P型半导体。 杂质半导体的载流子浓度： · 多子的浓度 在杂质半导体中，杂质原子所提供的多子数远大于本征激发的载流子数。因此，多子的浓度主要由掺杂浓度决定。 小结 1.本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，另一种载流子少。 2.多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的浓度与温度有十分密切