07半导体二极管及其应用电路.ppt

第7章 半导体二极管及其应用 1. 二极管的伏安特性 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 特性U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流在一定电压范围内不变，称为饱和。 7.2 半导体二极管 常用电路及理想特性 U I E + - R 限流电阻 理想二极管特性 U I 0 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向饱和电流 （很小，?A级） 0 7.2 半导体二极管 1）最大整流电流 IOM 2）反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3）反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 2. 二级管的主要参数 二极管长期使用时，允许流过的最大正向平均电流 7.2 半导体二极管 7.2.3 特殊二极管