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  • 2017-08-17 发布于江西
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SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS  Vol . 28 No. 4 Aug. 2007 光电器件 功率型 Ga N 基 L ED 静电保护方法研究 王立彬 , 刘志强 , 陈 宇 , 伊晓燕 , 马  龙 , 潘领峰 , 王良臣 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 100083) ( ) 摘  要 :  介绍了几种常用的 GaN 基大功率白光发光二极管 L ED 静电保护的方法 ,分析了 GaN 基大功率白光 L ED 静电损伤的机理 ,并在此基础上 ,提出了改善 GaN 基大功率白光 L ED 的 抗静电损伤的途径与方法 。 关键词 :  氮化镓 ; 发光二极管 ; 静电保护 ; 齐纳二极管 中图分类号 : TN 3 12 . 8  文

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