有限尺寸铁电薄膜介电性质的理论研究.pdfVIP

本科学生毕业论文 论文题目： 有限尺寸铁电薄膜介电性质的理论研 究 学 院： 物理科学与技术学院 年 级： 2008 级 专 业： 物理学 姓 名： 柳建雨 学 号： 指导教师： 周静 2012 年 5 月 3 日 摘要 近年来铁电薄膜领域的研究不断取得进展，在高新技术领域的应用越来越广泛。本 文基于横场Ising 模型，研究了横向尺寸、厚度及横向结构过渡区对于有限尺寸铁电薄 膜介电性质的影响。引入最近邻赝自旋二体相互作用分布函数，给出了具体函数来定量 描述相互作用的大小。详细研究了影响铁电薄膜介电性质的几个因素，并给出了结论： 对于二级相变铁电薄膜，极化率与最近邻赝自旋二体相互作用有关。对于尺寸一定的铁 电薄膜，随着铁电薄膜中心区域最近邻赝自旋二体相互作用的增强，相变温度变高，介 电峰也随着移动。缩小横向结构过渡区的比例和增强薄膜该区域内最近邻赝自旋二体相 互作用的大小都可以减小薄膜的极化率。在科研方面，本文对于器件小型化和改良器件 性能方面有一定的指导意义。 关键词 铁电薄膜；横向结构过渡区；介电性质；极化率 I Abstract In recent years ，ferroelectric thin films have achieve the progress in high-tech fields. This paper studied the transverse dimension ，thickness and transverse structure of transition region for the finite size effect of ferroelectric thin films dielectric properties based on the transverse Ising mode ．Distribution functions of nearest-neighbor two-pseudo-spin interactions are introduced to reflect structural non-uniformity of ferroelectric thin films ，given a specific function to quantitatively describe the interactions of size. A detailed study of the influence of the ferroelectric thin films dielectric properties of several factors is given and come to the conclusions: the size of certain level second-order phase transition ferroelectric thin films, enhancing film regional center of the nearest-neighbor two-pseudo-spin interaction can make a thin films dielectric peaks to the high-temperature zone direction ．The researchful results have a guiding role in exploring the device miniaturization and device-performance improvement. Key words Ferroelectric thi