第1章—03-晶体三极管-sw.pptVIP

模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 一、三极管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2、输出特性 * 电子系 2010年9月 Electronic Department Sep. 2010 1.1、半导体的基础知识 1.2、半导体二极管 1.3、晶体三极管 1.4、场效应管 第一章 常用半导体器件 1.3 晶体三级管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入、输出特性 四、主要参数 五、温度对晶体管特性的影响 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ ? 三极管的结构（续） 1. 由三层半导体组成，有三个区、三个极、两个PN结。 2. 发射区掺杂浓度比集电区高得多。 基区掺杂低,且很薄。 B E C B E C 发射极E 基极B 集电极C 发射区 基区 集电区 发射结 集电结 一、三极管的结构和符号 ? 三极管的工作原理 三极管各区的作用 发射区向基区提供载流子 基区传送和控制载流子 集电区收集载流子 放大作用的外部条件 发射结加正向电压，即发射结正偏