第二章第四节三极管.pptVIP

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  • 2017-08-17 发布于河南
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第四节 晶体三极管 ————的伏安特性曲线 * * 晶体三极管的理论伏安特性曲线,可以根据埃伯尔斯——莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线: 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响,则实际的伏安特性曲线将偏离理论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶体三极管测试仪直接侧得。 双口网络 V1 I2 I1 V2 共基极 VEB IC IE VCB C E B 共发射极 共集电极 VBC IE IB VBC E B C VCE IC IB VBE B C E 以共发射极为例: 根据电路可知: 有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 输出特性曲线族 或 VCE IC IB VBE E C B 在某些应用场合下,还需要其它形式的特性曲线,这些特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。 例如: 转移特性曲线族 电流放大特性曲线族 一、输入特性曲线族: 实际测量得到的输入特性曲线族。 0 IEBO +ICBO V(BR)BEO IB /μA VCE = 10V VCE = 0.3V VCE = 0 0.7 0.6 0.5 VBE /V 0.8 基区宽度调制

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