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2.4晶体管 半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,独特性能就是因为它的电阻率因温度、搀杂、和光照会产生显著变化。 一般利用半导体材料制成的半导体器件都是晶体结构，所以称之为晶体管(二极管、三极管)。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 电极数目 半导体材料和极性 晶体管类别 晶体管序号 区别代号 2.4.1二极管 1、二极管（晶体管）的命名方法 国内晶体二极管（三极管）型号的命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 电极数目 字母 意义 字母 意 义 字母 意 义 2 A N型,锗材料 P 普通型 D 低频大功率(3MHZ,1W) B P型,锗材料 V 微波管 A 高频大功率(3MHZ,1W) C N型，硅材料 W 稳压管 T 晶体闸流管(可控整流器) D P型，硅材料 C 参量管 Y 体效应器件 A PNP型，锗材料 Z 整流管 B 雪崩管 3 B NPN型，锗材料 L 整流堆 J 介跃恢复管 C PNP型，硅材料 S 隧道管 CS 场效应器件 D NPN型，硅材料 N 阻尼管 BT 晶体特殊器件 E 化合物材料 U 光电器件 PIN PIN型管 K 开关管 PH 复合管 ? X 低频小功率(3MHZ,1W) JG 激光器件 ? G 高频小功率(3MHZ,1W) 2AP4: 2二极管，A:N型锗材料，Ｐ普通管，９序号 2CK54: 2二极管，C:N型硅材料， K开关管，54序号 3AX81: 3三极管，A:PNP型锗材料，X低频小功率，81序号 3DD303C: 3三极管，D:NPN型硅材料，D低频大功率,303序号,C区别代号 2.二极管标示方法： 二极管结构与电路符号 3.几种普通的二极管 ①整流二极管：面接触型，因为PN结面较大，能承受较大的正向电流和高反向电压，性能比较稳定。采用金属封装、塑封。节电容较大，不宜在高频电路中应用，所以不能用于检波 ②检波二极管：作用：把调制在高频电磁波上的低频信号检取出来。这样就要求节电容较小，反向电流也小，所以用点接触式的，玻璃陶瓷封装，有较好的高频特性 特殊参数：检波效率=直流输出电压/输入信号电压峰值×100% ③开关管：利用二极管的单向导电性，正偏时导通，反偏时截止。 玻璃陶瓷封装，减小管壳电容。 开关时间： 开通时间： 从截止到导通的时间 反向恢复时间：从导通到截止的时间 开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高，广泛用于自动控制电路 ④1N系列塑封(玻封)硅二极管（美国型号命名的管子） 塑封(玻封)硅整流二极管、高速开关硅二极管，由于体积小、价格低、性能优良正迅速取代2CZ11、2CZ12系列的整流管和2CK系列开关管 1N系列整流二极管参数 型 号 反向峰值电压 额定整流电流 正向浪涌电流 正向压降 反向电流 工作频率 1N4000 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 25 V 50 V 100 V 200 V 400 V 600 V 800 V 1000 V 1 A 30 A ≤ 1 V ＜ 5 uA 3 KHz 1N5100 1N5101 1N5102 1N5103 1N5104 1N5105 1N5106 1N5107 1N5108 50 V 100 V 200 V 300 V 400 V 500 V 600 V 800 V 1000 V 1.5 A 75 A ≤ 1 V ＜ 5 uA 3 KHz 1N5200 1N5201 1N5202 1N5203 1N5204 1N5205 1N5206 1N5207 1N5208 50 V 100 V 200 V 300 V 400 V 500 V 600 V 800 V 1000 V 2 A 100 A ≤ 1 V ＜ 10 uA 3 KHz 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 50 V 100 V 200 V 300 V 400 V 500 V 600 V 800 V 1000 V 3 A 150 A ≤ 0.8 V ＜ 10 uA 3 KHz 典型的二极管的伏安特性如图所示。曲线可分为两部分：加正向偏置电压时的特性称为正向特性，加反向偏置电压时的特性称为反向特性。正向特性正向电压较小时，正向电流几乎为零。这是因为加在PN结上的外电压太小，不足以克服内电场对扩散运动的阻碍作用，这时二极管实际没有导通，对外呈现很大的电阻，这一部分称为正向特性的“死区”，死区以后的正向特性上升很快，正向电压超过某一数值后，电流才显著增大，这个电压值叫导通电压（门坎电压 Uon）