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桂林电子科技大学 GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY 桂林电子科技大学 GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY 桂林电子科技大学 GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY 电子技术 第1章 半导体二极管和三极管 1-1　半导体的导电特性 独特的导电特性 1、热敏特性：Ta 2、光敏特性：光照 3、掺杂特性：掺入微量元素 1-1　半导体的导电特性 导电能力 导电能力 导电能力 一、半导体特点 14 + 硅原子结构 4 + 简化模型 纯净的具有晶体结构的半导体。 二、本征半导体 价电子 4价元素 （硅、锗） 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 晶体结构—— 纯净半导体原子排列整齐 共价键结构 ——两个相邻原子共有一对价电子,价电子受相邻原子核的束缚,处于相对稳定状态。 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 本征激发——价电子受热或光照后，挣脱束缚成为自由电子。常温下仅极少数。 本征激发 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 本征激发 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 本征激发 自由电子 空穴 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 自由电子 空穴 本征激发 两种载流子 ： 电子 空穴 成对出现 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 电子流——电场作用下，自由电子的定向移动。 自由电子 电 场 电子流 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 电子递补 空穴流 空穴流——电场作用下，电子依次递补空穴的运动。 电 场 1-1　半导体的导电特性 共价键结构 4 4 4 4 4 4 半导体电流 = 电子流 + 空穴流 电 场 空穴流 电子流 1-1　半导体的导电特性 三、N型半导体和P型半导体 N型半导体——掺入5价元素 P型半导体——掺入3价元素 杂质半导体——在本征半导体中掺入适量的杂质元素(非半导体元素)。 5价元素——磷、砷等。 3价元素——硼、镓、銦等。 1-1　半导体的导电特性 N型半导体 4 4 4 4 4 5 +5 多一个价电子 掺杂 1-1　半导体的导电特性 N型半导体 4 4 4 4 4 5 多子-------电子 少子-------空穴 +5 掺杂 本征激发 4 N型半导体示意图 电子 正离子 1-1　半导体的导电特性 P型半导体 4 4 4 4 4 3 多一个空穴 +3 掺杂 1-1　半导体的导电特性 多子-------空穴 少子-------电子 P型半导体 4 4 4 4 4 3 +3 P型半导体示意图 负离子 空穴 掺杂 本征激发 1-1　半导体的导电特性 物质按导电能力分类，有： 导体、半导体和绝缘体三大类。 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体的导电特性 （1）热敏特性 大多数半导体对温度都比较敏感，且随温度的升高导电能力增强，电阻减小（室温下变化１℃电阻率约降一半）。 （2）光敏特性 半导体在受光照后，导电能力会增强，电阻减小。 （3） 掺杂特性 在纯净的半导体中渗入微量的杂质元素，导电能力会增强很多（几十万到几百万倍），电阻急剧减小（电阻率减少一百万倍）。 不含杂质并且具有完整晶体结构的半导体---本征半导体。 共价键结构： 在本征半导体的晶体结构中，每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构。其中有4个价电子是该原子自身的,其余4个价电子是相邻原子的。 半导体共价键中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量(如光照、温升、电磁场激发等)，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子（同时产生出一个空穴），这就是本征激发。 在磷原子的5个价电子中，只需4个价电子与相邻硅原子组成共价键，多余的一个价电子不参加共价键，只受磷原子核的微弱吸引，常温下很容易脱离磷原子核吸引而成为自由电子，磷原子则因而失去一个电子成为正离子（空间电荷）。 桂林电子科技大学 GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY 桂林电子科技大学 GUILIN UNIVERSITY OF