磁控溅射法制备AlN薄膜的研究进展.pdfVIP

第 29 卷 第 6 期 山东陶瓷 Vol . 29 No . 6 2006 年 12 月 SHANDONG CERAMICS Dec . 2006 ·综述 · 文章编号 : 1005 - 0639 (2006) 06 - 0020 - 04 磁控溅射法制备 AlN 薄膜的研究进展 宋秀峰 ,韩艳春 ,何洪 ,沈源 (南京航空航天大学材料科学与技术学院 ,南京 2 100 16) 摘 　要 　综述了各种沉积条件对磁控溅射技术生长氮化铝薄膜的微观结构 , 电学以及光 学性能的影响 。采用磁控溅射技术 ,可以选用在适当的条件下制备具有特定功能与结构优 良 的氮化铝薄膜 。 关键词 　氮化铝薄膜 ;磁控溅射 ;性能 中图分类号 : TQ 174 . 75 文献标识码 :A ( ) [ 13 ] 　　近年来 ,氮化铝 AlN 由于其优 良的物理化 过选择适当的工艺参数 控制 AlN 薄膜的微观 学和机械性能而受到各国研究者广泛的关注 。 组织结构 、表面形貌和光学 、压电等性能 。 AlN 属于 III - V 族化合物绝缘材料 ,是一种具有 本文主要综述了磁控溅射制备 AlN 薄膜的 六方纤锌矿型晶体结构的宽能隙直接能带结构 , 研究进展 ,研究了溅射功率 、衬底温度 、沉积时间、 在常温下禁带宽度 Eg = 6 . 2eV [ 1 ,2 ] 。AlN 原子间 工作气压 、N2 分压 、靶基距 、偏转电压等沉积参数 以共价键结合 ,具有高的熔点 , 良好的化学稳定性 及退火温度对 AlN 薄膜生长及性能的影响 。 和高的导热率 , 同时其热膨胀系数与硅相近 ,又具 1 　磁控溅射法制备 AlN 薄膜的研 有低介电常数与介电损耗等性能 ,这使它在电子 基板 ,半导体封装 , 电子组件散热等方面应用潜 究现状 力无穷[ 3 ] 。由于氮化铝薄膜具有优异的压 电特 1 . 1 　溅射功率的影响 性及较高的表面声波波速 , 已成为发展高频声 溅射功率在 AlN 薄膜的沉积过程中是一个 波组件 的最佳材料[4 ] 。AlN 宽禁带 , 同时与氮 很重要的工艺参数 ,对薄膜的择优取向结构和沉 ( 化镓晶格结构相同 ,有较少的晶格失配 L attice 积速率均有很大影响 。溅射功率不同 ,入射离子 mismatch 2 . 4 %) ,可作为半导体技术的绝缘层 、 轰击靶材的能量也不同 ,从而影响了靶材的溅射 保护层和缓冲层[ 5 ] ,可见 AlN 具有广泛的应用 率和溅射粒子的动能 ,这必然会影响 AlN 薄膜的 前景 。 微观组织结构 。增大溅射功率会增大气体的离化 随着电子元器件向着微型化 、集成化方向的 率 ,从而增大等离子体的密度 ,因此增强了溅射粒 发展 ,对材料的薄膜