磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究.pdfVIP

第 卷第 期 功能材料与器件学报 ’ j;1 Y @1 ’ 年 月 ’##( , kCHN@GP C? ?H@=4-C@GP /G4ON-GP] G@a aOj-=O] k80:Y ’##( 文章编号! ##$ % ’(’ ) ’##( * #’ % # + % #, 磁控溅射法制备-./0 底钉扎自旋阀研究 ’ 欧阳可青 ，任天令 ，刘华瑞 ，曲炳郡 ，刘理天 ，李 伟 ) 1 清华大学微电子学研究所，北京 ###23 ’1 深圳华夏磁电子公司，深圳 ( 2## * 摘要：采用高真空直流磁控溅射的方法，在玻璃衬底上制备了结构为456 7899:. ;5:.6 -./06 =?:6 的 底钉扎自旋阀。研究了 和 作为缓冲层对自旋阀磁性能的影 =86 =?:6 @A?:6 45 -./0 @A?: =8 响，并对缓冲层厚度进行了参数优化，当缓冲层厚度为’0B 时自旋阀各项性能达到最佳。研究了 退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响，得到了 强磁场下 保温 为最佳处理条件。 +###C: ’##D E 通过结构的改善和工艺的优化，得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率21 ( F ，矫顽场为#1 (C: ，交换偏 置场超过2##C: 。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。 关键词：自旋阀；底钉扎；巨磁电阻；退火效应 中图分类号： 文献标识码： C2’1 (’ G !#$%’()’* * +’(+ #),--. .)($/* %0-$/$1 !/2 3**. %0’ #)4#$% ’ ， ， ， ， ， CHIG@J K: % LA0M NO@ 4A50 % ;A0M P-H Q85 % .8A RH SA0M % T80 P-H PA % UA50 P- V:A ) 1 -0WUAU8U: 9 /AX.:;:XU.0AXWY 4WA0ME85 H0AZ:.WAUY S:ATA0M ###2Y =EA053 ’1 Q85 [A5 /5M O;:X =.\Y ]E:0^E:0 ( 2#2Y =EA05 * 53%/),! 4E: -./0 7UUB W\A0 Z5;Z:WY _AUE WU.8XU8.: 9 456 7899:. ;5:. 6 -./06 =?:6 =86 =?:6 @A?:6 45Y _:.: ‘:\WAU:‘ 0 M;5WW W87WU.5U: 7 EAME Z5X88B a= B5M0:U.0 W\8UU:.A0M B:UE‘1 4E: :99:XU 9 @A?: 50‘ =8 7899:.