实验五 晶体管特性图示仪.docVIP

实验记录数据 1、S8050： 电压量程：100mV 电流量程：200uA 2、S8550 电压量程：100mV 电流量程：200uA TL431:电压量程：100mV 电流量程：200uA 4. IN4007:电压量程：100mV 电流量程：200uA 5. Z5V1:电压量程：100mV 电流量程：200uA 实验思考题 1. 请从Z5V1的击穿电压值判断其击穿类型，是雪崩击穿、齐纳击穿还是二者混合，说明判断理由。 答：根据Z5V1的击穿电压可判断其击穿类型为二者混合，但以齐纳击穿为主。 理由：Z5V1的击穿电压为5V左右， PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。 2．对比IN4007的伏安特性，说明什么是完整的二极管模型。并说明与理想二极管和实际二极管模型的差异。 答：完整的二极管模型由自建电势、小的正向动态阻抗和大的内部反向阻抗组成。 当二极管处于正偏时，可视为一个闭合开关，再串联一个等于自建电势的电压源和一个小的正向动态电阻。当二极管处于反偏时，可视为一个开路开关，再并联一个大的内部反向电阻值。自建电势不影响反向电压，可不予考虑。 理想模型是一个简单开关。 3. 请回答为什么S8050为NPN型？ 答：因为Vce为正时集电极反偏，因此是NPN型。 4. 请