数字电子技术 第三章_清华.docVIP

本文由付flw贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 补：半导体基础知识 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（1 半导体基础知识（1） 两种载流子 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 ? 常用：硅Si，锗Ge 常用：硅Si，锗Ge 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（2 半导体基础知识（2） 杂质半导体 ? N型半导体 多子：自由电子 少子：空穴 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（2 半导体基础知识（2） 杂质半导体 ? P型半导体 多子：空穴 少子：自由电子 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（3 半导体基础知识（3） PN结的形成 PN结的形成 ? 空间电荷区 （耗尽层） ? 扩散和漂移 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（4 半导体基础知识（4） PN结的单向导电 PN结的单向导电 性 ? 外加正向电压 外加正向电压 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（4 半导体基础知识（4） PN结的单向导电 PN结的单向导电 性 ? 外加反向电压 外加反向电压 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 半导体基础知识（5 半导体基础知识（5） PN结的伏安特性 PN结的伏安特性 正向导通区 反向截止区 i = I S (e V VT 1) VT = nkT q 反向击穿区 K:波耳兹曼常数 T:热力学温度 q: 电子电荷 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 第三章 门电路 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 3.1 概述 ? 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如 与门、与非门、或门 ······ 门、与非门、或 门电路中以高/ 门电路中以高/低电平表 示逻辑状态的1/0 示逻辑状态的1/0 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 获得高、低电平的基本原理 高/低电平都允许有 一定的变化范围 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 3.2半导体二极管门电路 3.2半导体二极管门电路 半导体二极管的结构和外特性 （Diode） Diode） ? 二极管的结构： PN结 + 引线 + 封装构成 PN结 P N 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 3.2.1二极管的开关特性： 3.2.1二极管的开关特性： 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 VI=VIH D截止，VO=VOH=VCC 截止，V ? VI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V 导通，V 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 二极管的开关等效电路： 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 二极管的动态电流波形： 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 3.2.2 二极管与门 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V 加到 的 VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V A 0V 0V 3V 3V B 0V 3V 0V 3V Y 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V 规定3V以上为1 0.7V以下为0 A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 0 0 0 1 《数字电子技术基础》第五版 数字电子技术基础》 3.2.3 二极管或门 二极管或 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V 加到 的 VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V A 0V 0V 3V 3V B 0V 3V 0V 3V Y 0V 2.3V 2.3V 2.3V 规定2.3V以上为1 0V以下为0 A 0 0 1 1 B 0 1 0 1