续流吸收二极管.pdfVIP

力 子事业部 续流和吸收二极管 1 对续流和吸收二极管的要求 随着电力电子技术的发展，功率器件的开关速度越来越快，因此，现代的快速开 关元件要求采用快速的二极管作为续流二极管。在开关的每一次开通过程中，续流二 极管有导通状态变为截止状态。而这一过程要求二极管具有软的恢复特性。然而，让 我们难以相信的是在很长一段时间里，我们忽视了快速二极管的作用。因而续流二极 管限制了开关元件的功能－限制了开关元件的开关速度。 近些年由于对更高效率的追求，快速二极管的作用受到了高度的 视，通过不断 改善它的反向恢复特性而使其性能得到了极大的改善。 2 反向阻断电压和正向峰值压降 由反向阻断电压V 的定义我们可以知道，二极管或晶闸管在该电压下的漏电流不 R 得大于临界值I 。 R 在大多数的参数表中的器件参数都是温度等于25℃时的数值。当温度降低时反向 阻断能力下降。也就是说如果当元件在低于室温的条件下运行时应引起特别的注意。 当温度高于室温时，在反向电压相应上升的同时，其漏电流也同时上升。因此我们在 - 1 - 力 子事业部 参数表中还会给出高温下的漏电流值(125℃)。 值得特别注意的是，对于采用了金扩散工艺的元件来说，在高温下它们的漏电流 上升得特别快。 因此，如果系统由于元件的功率损坏而使其工作在环境下，将有可能是系统引发 温升失衡而不能正常工作。 正向通态压降VF表示了在给定电流下，二极管在导通状况下的电压降应小于某给 定的临界值。一般来说，这个值是在室温下测得的。然而，系统中的元件又是工作在 一定的温度下，因此我们必须对元件的高温正向通态压降进行考虑。 3 开通特性 快速二极管在进入导通状态的过程中，电压首先升至V ，即可 复的正向峰值电 FRM 压，然后才降至正向通态压降的水平。图给出了有关V 和开通时间t 的定义。 FRM fr 然而对于像用在GTO和IGBT 中的续流二极管和吸收二极管来说，这个定义存在一 定的问题，这是因为： ⑴．在这样的电路中，开通电流的上升率di/dt会很高，通常会达到200V到300V， 它将是V 的100倍以上。这对于应用来说是一个非常棘手的事情。 F ⑵．实际应用过程中，二极管是由截止进入导通状态，由此产生的VFRM 要比由零 - 2 - 力 子事业部 电压进入导通状态高出许多。当我们对其设计时，必须予以特别关注。 对于吸收二极管来说，因为吸收电路只有在吸收二极管导通之后才能发挥作用， 所以较低的V 是它的 要指标之一。 FRM 对反向阻断电压大于1200V的续流二极管来说，这个可 复的正向峰值电压也由 着作用的作用。因为在GTO、IGBT 的关断过程中，线路的寄生电感会产生一个电压尖 峰，它叠加在续流二极管的V 上，二者之和可能导致过电压而造成元件损坏。 FRM 非常 要的是我们必须对电压进行测量，以确定由寄生电感所产生的电压和VFRM 的值。 4 关断特性 再二极管由导通进入截止状态的过程中，它内部所存储的电荷必须被释放。这个 过程将使二极管的电流反方向流动。内部载流子的复合过程我们可以用反向恢复特性 来描述。 图中S代表一个理想的开关，I 为电流源，V 是换流电压源，L 是换流电感。