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内存规格和技术介绍 DDR DDR严格来说应该叫DDR SDRAM. DDR: Double Data Rate. DDR SDRAM:双倍速率同步动态随机储器． 针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下： 　　(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 　　(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 　　(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 　　(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。 　　目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 4.DDR3新增ZQ校准功能 　　ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 　　5.参考电压分成两个 　　在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。 　　6.点对点连接（Point-to-Point，P2P） 　　这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 　　面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。 在前面的介绍中，我们已经了解，当前市场上主流的内存还是DDR系列，且现在主打得是DDR2系列，未来的主流将是DDR3系列。 我们下面就主要针对DDR系列进行介绍。 内存的一些技术参数 内存容量内存容量是指存放计算机运行所需的程序和数据的多少。内存容量直接关系到计算机的整体性能，是除CPU之外能表明计算机档次等级的一个重要指标。 数据带宽数据带宽是指内存一次输出/输入的数据量，是衡量内存性能的重要指标。通常情况下，PC100的SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值传输率可以达到800MBps；工作在133MHz的情况下，其峰值的传输率已经达到了1.06GBps，这一速度比PC100提高了200MBps。在实际应用中，其性能提高的效果是很明显的。对于DDR而言，由于在同一个时钟的上升沿和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，它的实际传输率可以达到2.1GBps。计算内存带宽的公式也很简单：内存带宽总量（Mbytes）＝最大时钟速频率（MHz）×总线宽度（bits）×每时钟数据段数量／8。 内存频率