CdZnTe探测器及其应用.pdfVIP

全国第四届核仪器及其应用学术会议论文集 Instrument＆Its ofthe4thNationalConferenceonNuclear Proceedings Application CdZnTe探测器及其应用 钱大可，徐向军 (CANBERRAEURISYS北京代表处，北京，100044) 摘要：近年来随着CAZnTe晶体生产工艺的不断改进和前端电子学的发展，使得这种室温CdZnTe探测器已经 显现出其日益广泛的应用前景。简要介绍CdZnTe探测器的特性和在辐射测量、核医学、工业、安检和天体物理研 究领域应用发展情况。 关键词：CdZnTe；探测器；谱仪；前端电子学 O引言 1．1 CdZnTe探测器特性 传统谱仪系统使用的探测器通常是闪烁探 CdZnTe是一种新型半导体探测器，可以在 室温条件(300K)下工作，具有以下特性： 测器(NaI(TI)和CsI)或者半导体探测器(Si和 高纯锗HPGe)。当应用时，对谱仪系统分辨率 ●探测信号直接转换 要求不高时，一般使用NaI(T1)和CsI，由于射●密度高(5．789／cm3) 线与闪烁探测器相互作用产生光，因此，闪烁探 ●等效原子序数大z。ff=48(相当于NaI 测器需要配置光电倍增管(PMT)或者光电二(TI)探测器的2倍) 极管；当应用时，对谱仪系统探测分辨率要求很 ●分辨率高：5％59keV(241Am) 高时，则需要液氮或者电致冷的半导体探测器 4％122kev(”Co) (sl和高纯锗HPGe)，与闪烁探测器相比，半导 2％662 keV(137cs) 体探测器(Si和高纯锗HPGe)的效率相对较●脉冲成形时间短：脉冲工作方式下，计 低，而且整个探测器部分(包括致冷和前置放大 数率可达106s。1 器)较为庞大。 电流工作方式下，计 如果应用时，既要求谱仪有相对好的分辨 数率可达109s_1 率和探测器效率，又可在室温条件下工作，同 ●环境适应性强：温度系数小(峰漂1％／ 时，还要求探测器组合部分(探测器、前置放大 10℃)，不吸湿潮解 器和相关部件)体积小巧灵便，便于布防，受环 ●探测器与前端电子学结实耐用，组合小 境影响小，这时，闪烁探测器(NaI(T1)和CsI)巧，便于布放 或者半导体探测器(si和高纯锗HPGe)就都难表1列出了CdZnTe探测器与常规探测器 于满足要求。 的一些主要的性能比较。 1．2 CdZnTe，一种新型的半导体探测器，正逐 CdZnTe谱仪的构成 步显示其在许多应用领域优于闪烁探测器(NaI CdZnTe探测器工作原理与常规半导体探 (T1)和CsI)或者原有半导体探测器(si和高纯 测器工作原理相似：当光子与CdZnTe探测器 锗HPGe)的特性。本文简要介绍CdZnTe探测中的原子相互作用时，会产生电子一空穴对，这 器的特性和制作工艺的某些发展动态，以及 些电子一空穴对在偏压电场下被收集，即可产 CdZnTe探测器的实际应用和潜在的应用前