离子束溅射生长非晶Si薄膜地研究.pdfVIP

1116 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 离子束溅射生长非晶Si 薄膜的研究* ∗ 邓书康，陈 刚，高立刚，陈 亮，俞 帆，方静华，杨 宇 (云南大学 化学与材料工程系，云南 昆明 650091) 摘 要：用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶 2 实 验 硅（a-Si ）薄膜，用双四探针法测量了不同温度下的 电阻率，用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微 样品生长是在中科院沈阳科学仪器研制中心研 结构。结果发现随着衬底温度的升高，薄膜的电阻率 制的 FJL560III 型超高真空磁控与离子束联合溅射设 逐渐增大，衬底温度为室温的a-Si 薄膜质量较好且从 备上进行的，溅射靶为高纯单晶硅（99.99% ），离子 其表面形貌可观察到少量Si 晶粒的存在。 + 源由考夫曼离子枪提供，从溅射枪出来的高能Ar 束 关键词：离子束溅射；非晶硅；喇曼散射；电阻率 + 与硅靶成 45 °角，被 Ar 轰击出来的 Si 原子沉积在 中图分类号：TN 2 1 文献标示码：A 位于靶正上方的基片上，基片可加热的最高温度为 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1116-03 400 ℃。该设备还备有一套清洗枪，其构造与溅射枪 1 引 言 完全相同。 实验用的衬底为优质载玻片，经严格清洗及超声 非致冷红外探测材料 a-Si 基材料由于具有成本 去腊吹干后放入水冷加热转盘的样品框内。待本底真 低廉，制备技术成熟，与超大规模集成电路兼容等优 空度优于3.0× 10-4Pa 时，通入高纯氩气，调工作气压 点而成为研究热门的热敏材料之一。 强为 2.0× 10-2Pa ，启动清洗枪清洗衬底 10min，以保 硅在非晶状态存在大量的悬键缺陷(～1019cm-3) ， 证衬底表面清洁。生长样品时溅射枪的主要工作参数 [1] 为：束流电压1000V，加速电压200V ，束流20SCCM 。 20 年前 Specar 等人 首次发现用氢来饱和悬键可以 使非晶硅中的悬键缺陷数目减至 1016 cm-3 以下，并可 我们将衬底温度设定为室温，100、200 、300 、400 ℃ # # # # # 通过掺杂使电导率变化 10 个数量级。但是，此后不 分别制备了 1 、2 、3 、4 、5 五块样品。 久发现的Staebcer-Wronski 效应 （简称SWE[2] ，即光 17 -3 3 实验结果与分析 照会使悬键增至～10 cm ），导致非晶硅器件的不稳 定性，成为广泛应用非晶硅的主要障碍。非晶硅薄膜 3.1 a-Si 薄膜的电阻温度系数的测量与分析 的制