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用孪生对靶溅射低阻ZnO的研究
朴美英 薛玉明 刘维一 李凤岩 何 青孙云 李长健
南开大学光电子所,天津,300071
摘要:由于制备低阻ZnO时功率比较大(相对本征ZnO而言),敌溅射对薄膜村底轰击较大。
为了尽量减少溅射带来的轰击影响,我们采用了孪生对靶直流溅射来制备低阻ZnO的工艺路
线。通过XRD测量以厦光学特性分析比较得出采用孪生对靶溅视比平面磁控溅射法优越。
关键词:ZnO薄膜孪生对靶直流磁控溅射 透过率
Abstract:Becausethe for lowresistanceZnOfilmwasmorethanintrinsic
powerdepositing
ZnO bombardmentof onthefilmwas order the
film,the spatter verylarge.Intoreduce
effectof usedtwinborn wereset DC
spatter,we targets,whichopposite,in
magnetic
lowresistanceZnO.XRDand characteristic
sputtering,forpreparing optical represented
thatthetwinbornwasbetterthat DC
targets planemagneticsputtering.
filmtwinbornDC
Keywords:ZnO targetsmagneticsputteringtransparent
进行射频溅射本征ZnO薄膜工艺,电阻ZnO的溅
1引言 射功率相对赢阻Zn0来说比较大(基于低阻率、沉
积速率等因素),采用射频溅射、直流磁控溅射法对
ZnO是一种六方晶系纤锌矿结构的氧化物。化 薄膜的轰击较大,损坏了薄膜。为降低轰击对薄膜
学键型处于离子键与共价键的中间状态。晶格常数 的影响,我们需要对过去常用的溅射方法进行改革。
9nm,c一0.520
为:a一0.324 7nm,c/a一1.6I晶体 我们采用孪生对靶直流磁控溅射ZnO:AI
的密度为:5。689/cm3;晶格能为4040J/molf为直接
带隙半导体材料.室温时禁带宽度为3.2eV,电子迁平面单靶直流磁控溅射沉积的薄膜材料相比,采用
移率为1.8×102am2/(V·s);氧不足时为N型材孪生对靶溅射法来沉积低阻ZnO薄膜避免了对薄
料;折射率为2.2;熔点为1975℃。ZnO薄膜在太膜的正面轰击,大大减小了对薄膜的损坏程度。
阳光可见光谱中具有较高的透过率,是一种重要的
光电材料。它在压电转换、光电显示及太阳电池等 2实验
方面有着广泛的应用。透明导电膜迄今已有多种制
备方法,主要有:溅射法;真空反应蒸发法;金属有机 图1所示的是我们对溅射方法的一种改进方
物化学汽相沉积法(MOCVO)和高温热解喷涂法。法,我们称之为孪生对靶直流磁控溅射。实验采用
用于CIGS太阳电池异质结的N型层,是由本
mm,相对放置,距
征
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