半导体物理第二章 PN结习题.docVIP

第二章 PN结 2-1．结空间电荷区边界分别为和，利用导出一般情况下的表达式。给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的表达式。 2-2．热平衡时净电子电流或净空穴电流为零，用此方法推导方程 。 2-3．根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明，在外加正向偏压作用下，结侧空穴扩散区准费米能级的改变量为。 2-4． 硅突变结二极管的掺杂浓度为：，，在室温下计算： （a）自建电势（b）耗尽层宽度 （c）零偏压下的最大内建电场。 2–5．若突变结两边的掺杂浓度为同一数量级，则自建电势和耗尽层宽度可用下式表示 试推导这些表示式。 2–6．推导出线性缓变结的下列表示式：（a）电场（b）电势分布（c）耗尽层宽度（d）自建电势。 2-7．推导出结（常称为高低结）内建电势表达式。 2-8．（a）绘出图2-6a中的扩散结的杂质分布和耗尽层的草图。解释为何耗尽层的宽度和的关系曲线与单边突变结的情况相符。 （b）对于的情况，重复（a）并证明这样的结在小的行为像线性结，在 大时像突变结。 2-9． 对于图2-6（b）的情况，重复习题2-8。 2–10．（a）结的空穴注射效率定义为在处的，证明此效率可写成 （b）在实际的二极管中怎样才能使接近1； 2-11．长结二极管处于反偏压状态，求： （1）解扩散方程求少子分布和，并画出它们的分布示意图。 （2）计算扩散区内少子贮存电荷。