全耗尽SOI+CMOS技术中注Ge硅化物工艺地研究.pdfVIP

● 行了分析。 3蛄果和讨论 Ge的注入-使si 1r晶化，减小了硅化物的形成能量，通过控制清晰的非晶／单晶界面来控制硅 化物的厚度。第一次处理温度的选取不能太高，以免Ti与下面的单晶或多晶硅反应。当温度适当 时，Ti仅与非晶砟反应，这样．硅化物的厚度由非晶层的厚度来控制，而不是Ti的厚度来控制，避 免出现空位。并且第一次RTP过程存在一I临界时间．小丁二此时间，Ti与非晶硅没有反麻完全，则得 不到所需的硅化物厚度。幽l给出了硅化物厚度与第一次退火时间之间的关系。未参与反应的Ti被 选择性刻蚀掉。第一二步RTP，完成TiSiz由C49一C54的相变，形成低的接触电阻。 一口￡￡c8