颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺地研究.pdfVIP

班群’，王晓晶1一，沈辉1，2 (1．中国科学院广州能源研究所，广州610070；2．华南理工大学材料与I程学院，广州510640) Sheetfrom Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜 摘要：通过在颗粒硅带(SSP--Silieon 法制作上下电极等工艺，制各了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜(poly-CSiTF)太阳电池，所制得电池的最高 转换效率达到6．05％(电池面积lcm2)．通过对电池性能参数的测量、分析，讨论了颗粒硅带制各工艺以及 外延层质量等因素对太阳电池性能的影响。 关键词：颗粒硅带(溲)；多晶硅薄膜(《!!：婴粤；发射区扩散 0引言 太阳电池最重要的问题是它的成本及光电转换效率。对太阳电池硅材料的要求是：有效 面积大，要在严格的工艺中生产出一致性极好的，在均匀性、掺杂剂、杂质、点缺陷沉淀、 清洁表面特性以及测试方法等方面都符合严格规范要求的硅片。然而，由于激烈的市场竞争， 在所有这些要求下，还要有尽量低的价格，这种强制性反馈到材料制作的每一道工穿中111。 为了寻求更新更好的生产工艺，人们一直以来都未曾停止努力。其中颗粒硅带制备工