晶体谐振器的激励电平依赖性及相位噪声的测量和研究.pdfVIP

晶体谐振器的激励电平依赖性及 相位噪声的测量与研究 摘要 目前，一个困扰晶体制造商的最大问题是低噪声晶体的大批量生产与测试。在频率年会汇编 的文献中曾有报道：生产中预测晶体的相位噪声的有效方法，是测量晶体对激励电平的依赖(即 晶体的DLD)特性。它说明当晶体的谐振电阻随着激励电平的增加而变化时，晶体的相位噪声 也有相同的变化规律。这样导致我们相信通过减小晶体电阻的DLD参数，就可以达到降低晶体 的相位噪声的目的。人们认为晶片表面的沾染物是导致晶体DLD现象的原因之一。本文通过测 量大批同一型号的100MHz的晶体，验证了晶体的DLD和相位噪声的相互关系。测量了不同外 型、不同频率的晶体表面沾染物对DLD和相位噪声的影响。同时，还测量了不同的测试设备对 DLD参数的影响。实验发现：对于各种不同外型的晶体，晶体的DLD参数不是筛选晶体短期稳 定度最有效的方法。 引言 几十年来，人们通常用测量DLD的参数来衡量晶体谐振器的质量。事实上，很多晶体的参 数说明里面，也包含了对频率和电阻的DLD的要求。这些要求实际上体现了晶体的开机特性、 短期稳定性一直到K期老化率的内在质量。 在测量谐振器的频率和等效电阻时，从极低的激励电平扫描到需要的高激励电平。