电磁兼容课件第7讲.pptVIP

龚建强 西安电子科技大学 2012年03月27号 7.1 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 屏蔽圆柱腔内的静磁场 将内、外半径分别为a、b，磁导率为μ的无限长磁性材料圆柱腔放入均匀磁场B0中。设B0＝xB0，圆柱腔轴沿圆柱坐标系(r，θ，z)的z 轴，如图1所示。因所论区域没有传导电流，且媒质分区均匀，因此，可用磁标位求解各区域中的场。 设Um1、Um2、Um3分别表示圆柱腔内(r＜a)、圆柱腔壁(a＜r＜b)和圆柱腔外(r＞b)的磁标位，则它们满足拉普拉斯方程 ?2Umi＝0 (i＝1，2，3) (7-1) 和边界条件(μr是圆柱腔壁的相对磁导率) (7-2) 屏蔽圆柱腔内的静磁场 Laplace算子?2的一般形式为（Hi为拉梅系数，i = 1, 2, 3） 因此圆柱坐标系中的拉普拉斯方程为 由于原问题为二维问题，磁标位沿z轴不变化 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 (7-3) (7-4) (7-5) 图2 无限长磁性圆柱腔横截面 分离变量 (7-6) 代入(7-5), 可得两个常微分方程 屏蔽圆柱腔内的静磁场 无限长磁性圆柱腔的静磁屏蔽效能 由(7-8)和(7-9)可得磁标位的一般解为 远离圆柱腔处，不计磁化电荷的影响，磁场仍是B0＝μH0， 磁标位则为 以及 (7-8) (7-9) (7-10) 若令r = 0处，Um = 0，则