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实验20.2 用霍尔元件测量磁场 [目的] 了解霍尔效应. 学习用霍尔元件测量磁场的基本方法. 学习使用直流电位差计和数字电压表测量霍尔电压. [原理] 如图20.2－1所示，在一块长为l、宽为b、厚度为d的N型半导体薄片的左右端面上，分别焊接上金属平面电极M、N，在上、下端面上对称地引出两个点电极P和S.如果在M、N两端面加上稳定电压，就有恒定的电流Iy通过薄片.M、N间的等势面是平行于xoz的平面，P和S处于同一等势面上.电流Iy可以表示成 （20.2－1） 式中e为电子的电量(是负值)；为沿轴反方向作漂移运动的自由电子的平均速度（也是负值）；n为薄片内自由电子的浓度. 如果沿x轴方向上加恒定的匀强磁场Bx，以平均速度运动的电子就受到洛伦兹力的作用 （20.2－2） 的方向与轴相反.在的作用下，薄片内部自由电子的定向运动方向发生偏转，使下端平面上有多余电子聚积，上端平面上会聚积多余的正电荷.这样形成一个上正下负的电场EH，使上下两个端面间具有电势差VH.这个现象是霍尔（E.C.Hall）的作用，的方向与的方向相反.达到动态平衡时（这个过程在s的时间内就可以完成），，电流将继续像原来一样流动.这时 利用（20.2－1）式得到 （20.2－3） 式中为霍尔系数，为霍尔元件的灵敏度（、的正负由的P型半导体材料制成，就是空穴的浓度，取正值）.IH=Iy，即为霍尔元件的工作电流.由（20.2－3）式可知，要获得比较大而容易测量的霍尔电压，就应该使RH、KH的值适当地大，也就是和要比较小.半导体材料载流子的浓度比导体小很多，因此都采用半导体薄片（一般左右） (20.2-4) 通过实验测出VH和IH，在KH值已知的情况下，由（20.2－4）式就可求出未知磁场Bx.要注意的是，如果霍尔元件的位置偏离yoz平面，在洛伦兹力的作用下载流子就不会全部聚积在上或下端平面，VH值减小.因此以y或z轴为转轴缓慢转动霍尔元件，当VH达到最大值时，磁场Bx的方向必然垂直于yoz平面. （20.2－3）式是在理想的情况下得到的，实际上测得的并不只是VH，还包括由于电热现象和温差电现象所产生的附加电动势: ）大于平均速度，有的漂移速度小于平均速度.在图20.2－1所示的条件下，霍尔电场建立以后，自由电子所受洛伦兹力，这些电子将向下偏转.而的自由电子所受的洛仑兹力，这些电子将向上偏转．这样使霍尔元件的一侧高速载流子较多，载流子与晶格碰撞而使这一侧温度较高；另一侧低速载流子较多，使这一侧的温度较低，从而出现了z方向上的温度梯度，这种现象被称为爱廷豪森效应.于是P、S极间产生了温差电动势VE.由以上分析可知，VE.随IH或Bx的换向而换向. 能斯特（Nernst）效应 由于电极M、N焊接面的接触电阻不相等，工作电流IH通过时两处耗散的焦耳热也不相同，使左右两个断面出现温度差.这个y轴方向的温度梯度会引起一个附加的同方向的热扩散电流.这个电流在磁场作用下，类似于VH也会在P、S极间产生电压VN.这种现象被称为能斯特效应.由以上分析可知，VN与IH的方向无关，随Bx的换向而换向. 里纪－勒杜克（Righi-Ledue）效应 上述扩散电流的各个载流子的速度各不相同，根据爱廷豪森效应所述的理由，此时也将出现一个z方向上的温度梯度，这种现象被称为里纪－勒杜克效应.于是P、S极间又产生了附加的温差电动势VRL，VRL随Bx的换向而换向，与IH的换向无关. 不等电动势（或称零位误差）V0 由于霍尔元件材料本身的不均匀或霍尔电极位置不对称，即使不存在磁场，当IH通过霍尔元件时，这种由于P、S两电极的电势不相等而附加的电压称为“不等电势差”，用V0表示. V0随IH的换向而换向，与Bx的换向无关. 由以上分析可知，在Bx和IH给定的情形下，实际测量的P、S两端的电压不仅包含VH，还包含着VE、VN、VRL和V0.假如Bx和IH的方向如图20.2－1所示，又设P端比S端电势高时V0为正，并且N端的温度比M端高，那么此时测得的P、S极间的电压为 如果Bx不变，将IH换向，P、S间的电压 如果Bx换向，IH不变，P、S间的电压 如果Bx和IH同时换向，P、S间的电压 将，就可消去、和，得到 从其它实验已知，爱廷豪森效应引起的电压比小得多，，故可略去，因此 　　　　　　　　　 （20.2－5为了消除爱廷豪森效应，测定恒定磁场时工作电流IH可用交流电，因为这时爱廷豪森效应来不及建立，瞬间产生的