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传感器与测试技术 机电学院 第9章 磁敏式传感器 第二篇 常用传感器的原理及应用 1.掌握传感器工作原理及特性　　　 2.掌握测量误差及补偿（霍尔元件） 3.了解传感器的应用 第9章 磁敏式传感器 半导体磁敏式传感器 霍尔元件 磁敏电阻 磁敏二极管 磁敏晶体管 9.1 霍尔传感器 1、霍尔效应与霍尔元件 霍尔效应：置于磁场中的通电半导体，在垂直于电场和磁场的方向产生电动势的现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是运动电荷受磁场中洛仑磁力作用的结果——霍尔电场。 其中，kH：霍尔常数（灵敏度），取决于材质、温 度、元件尺寸（厚度） ?：磁场与元件法线方向的夹角。 霍尔电势（UH）为： 显然，改变I或B，即可改变UH。 UH = kHIBcos? 霍尔元件越薄(d越小)，kH就越大，薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。 4×2×0.1mm3 激励电极 霍尔电极 霍耳输出端的端子C、D相应地称为霍耳端或输出端。 若霍耳端子间连接负载,称为霍耳负载电阻或霍耳负载。 电流电极间的电阻，称为输入电阻，或者控制内阻。 霍耳端子间的电阻，称为输出电阻或霍耳侧内部电阻。 器件电流(控制电流或输入电流):流入到器件内的电流。 电流端子A、B相应地称为器件电流端、控制电流端或输入电流端。 H A A A B B B C C C D D D 2、霍耳磁敏传感器的符号与基本电路 控制电流I； 霍耳电势UH； 控制电压E； 输出电阻R2； 输入电阻R1； 霍耳负载电阻R3； 霍耳电流IH。 图中控制电流I由电源E供给,RW为调节电阻,保证器件内所需控制电流I。霍耳输出端接负载R3,R3可是一般电阻或放大器的输入电阻、或表头内阻等。磁场B垂直通过霍耳器件,在磁场与控制电流作用下，由负载上获得电压。 VH R3 V B I E IH 霍耳器件的基本电路 R 实际使用时,器件输入信号可以是I或B，或者IB,而输出可以正比于I或B, 或者正比于其乘积IB。 R3 RW 霍尔元件的转换效率较低，实际应用中，可将几个霍尔元件的输出串联或采用运算放大器放大，以获得较大的UH。 霍尔元件的连接电路 2、霍尔元件的材料及主要特性参数 霍尔元件多采用N型半导体材料（高的电阻率和载流子的迁移率）。目前最常用的霍尔元件材料有锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料。 主要特性参数： 额定激励电流IH 灵敏度KH 输入电阻Ri与输出电阻R0 不等位电势U0和不等位电阻r0 当磁感应强度B为零、激励电流为额定值IH时，霍尔电极间的空载电势称为不等位电势（或零位电势）U0。不等位电势U0与额定激励电流IH之比称为不等位电阻（零位电阻）r0 . 产生不等位电势的原因主要有：霍尔电极安装位置不正确（不对称或不在同一等电位面上）；半导体材料的不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 霍尔电势温度系数、内阻温度系数等 3、测量误差及其补偿 不等位电势误差及其补偿 霍尔元件有两对电极，各相邻电极之间的电阻若为r1、r2、r3、r4，霍尔元件可等效为一个四臂电阻电桥。 （a）不等位电势 （b）霍尔元件等效电路 能够使电桥达到平衡的措施均可以用于补偿不等位电势。由于霍尔元件的不等位电势同时也是温度的函数，所以同时要考虑温度补偿问题 。 温度误差及其补偿 常用的补偿电路包括：恒流源激励并联分流电阻补偿电路；恒压源激励输入回路串联电阻补偿电路；电桥补偿电路；以及采用正、负不同温度系数的电阻或合理选取负载电阻的阻值补偿电路等等。 假设初始温度为T0时有如下参数：霍尔元件的输入电阻为Ri0，选用的补偿电阻RP0，被分流掉的电流为Ip0，激励电流Ic0，霍尔元件的灵敏度KH0。 当温度升为T时，上述各参数相应为：Ri、RP、Ip、Ic、KH，且有关系 分别为输入电阻、分流电阻及灵敏度的温度系数 由电路 于是 对于确定的霍尔元件，其参数是确定值，可由上式求得分流电阻RP0及要求的温度系数，为此，此分流电阻可取温度系数不同的两种电阻进行串并联。 当温度变化ΔT时，为使霍尔电势不变则必须有如下关系： 4、霍尔集成传感器 将霍尔元件与放大、整形等电路集成在同一芯片上，具有体积小、灵敏度高、价格便宜、性能稳定等优点。 差动输出线性霍尔集成传感器 霍耳线性集成传感器的主要技术特性 磁感应强度B/T 5.6 4.6 3.6 2.6 1.6 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 输出电压U/V SL3501T传感器的输出特性