PZT铁电AlGaNGaNMgO脉冲激光沉积(PLD)硕士论文.docVIP

PZT铁电薄膜与AlGaNGaN半导体异质结构的集成和性能研究 材料科学与工程， 2011， 硕士 【摘要】 电子信息系统对于微型化、单片化的不断追求,向电子薄膜及其集成器件的尺寸和功能性提出了更高的要求,促进了将氧化物功能材料以固态薄膜的形式与具有载流子输运能力的半导体集成方面的研究。PZT由于具有压电效应、热电效应以及自发极化效应等优异的性能,一直以来都是最受关注的铁电材料。GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有高击穿场强、高热稳定性、高电子饱和漂移速度等出色的性能。GaN经过调制掺杂形成的AlGaN/GaN半导体异质结构,界面处产生具有很高载流子浓度和迁移率的二维电子气（2DEG）,成为了近些年来研究的热点。本文以PZT铁电薄膜与AlGaN/GaN半导体异质结构的集成为研究对象,并针对集成过程中遇到的晶格失配、生长工艺不兼容等问题,采用MgO作为缓冲层材料获得了沿（111）面高度择优取向生长的PZT薄膜,并通过微细加工,将集成体系制备成MFIS结构。经过电容-电压（C-V）和电流-电压（I-V）测试,对比并分析MFIS和MFS的电学性能。首先在与GaN具有相似晶体结构的Al2O3衬底上,优化PZT薄膜的生长工艺。XRD衍射结果表明,直...?更多还原 【Abstract】 The continuously pursuing of electronic information system on the miniaturization and monolithic has put forward higher request on the size and function of electronic film and its integration devices,therefore promoted the research on the integration of solid state oxide functional materials on semiconductor with carrier transport capacity.Due to its piezoelectric effect, thermoelectric effect, spontaneous polarization effect and etc., PZT has long been one of the most popular ferroelectric mate...?更多还原 【关键词】 PZT； 铁电； AlGaN/GaN； MgO； 脉冲激光沉积(PLD)； 【Key words】 PZT； ferroelectric； AlGaN/GaN； MgO； pulse laser deposition(PLD)； 摘要 4-6 ABSTRACT 6-7 第一章 绪论 10-20 1.1 引言 10-11 1.2 铁电材料 11-12 1.3 PZT 材料简介 12-13 1.4 GaN 和AlGaN/GaN 半导体异质结构 13-16 1.5 铁电/半导体集成结构的研究现状 16-19 1.6 论文的选题及研究方案 19-20 第二章 薄膜的制备及表征方法 20-28 2.1 薄膜常用制备方法 20-21 2.2 脉冲激光沉积系统 21-22 2.3 薄膜微观结构表征方法 22-25 2.3.1 X 射线衍射仪（XRD） 22-24 2.3.2 原子力显微镜（AFM） 24 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） 24-25 2.4 薄膜的电学性能测试 25-28 2.4.1 铁电性能测试 25 2.4.2 绝缘性能测试 25-26 2.4.3 电容-电压（C-V）特性测试 26-28 第三章 A1_20_3衬底上PZT 薄膜的生长及性能研究 28-37 3.1 A1_20_3 衬底上PZT 薄膜的制备 28-32 3.1.1 A1_20_3 衬底上PZT 单层薄膜的制备 28-29 3.1.2 A1_20_3 衬底上MgO 缓冲制备PZT 薄膜 29-31 3.1.3 沉积温度对PZT 薄膜生长的影响 31-32 3.2 薄膜的铁电性测试 32-35 3.2.1 Au/Ni/PZT/SRO/A1_20_3 铁电电容结构的铁电性 32-34 3.2.2 温度对PZT 薄膜铁电性能的影响 34-