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ICS29.045 H82 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T XXXXX—XXXX 硅单晶腐蚀片 Monocrystalline silicon etched wafers XXXX - XX - XX发布 XXXX - XX - XX实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC 243）提出并归口。 本标准起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津有限公司硅单晶腐蚀片 范围 本标准规定了硅单晶腐蚀片的产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨圆形片经化学腐蚀液蚀刻去除表面损伤层后制备的硅单晶酸腐蚀片和硅单晶碱腐蚀片。产品主要用于制作晶体管、整流管等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555