钛薄膜的氢化与热释放特性的研究.pdfVIP

湖南·长沙 钛薄膜的氢化及热释放特性的研究 施立群。周筑颖。赵国庆 (复旦欠学现代物理研究所，上海200433) 摘蔓：在Ti膜上溅射Ni作为表面催化荆兼保护层，与无Ni的样品对照，研究了Ti薄膜酌氢 化与熬释氮特性。结果表明，镀Ni能有效抗有害杂质C和O的污染，显著提高Ti膜的氢化 理。 关键词：储氢材料；Ti薄膜；吸放氢特性 氢和钛的相互作用已得到了广泛的研究Ⅱj。这不仅是由于钛一氢系统为理论研究提供 了粒子与表面作用的典型例子，更重要的是钛及其钛舍金与氢反应生成金属氢化物，作为重要 的储氢材料有着广泛的应用前景。 然而，金属钛是一种化学活性极强的金属，即使在超高真空的条件下，其表面也会存在氧 污染【1]。表面污染或氧化层的存在极大影响丁氢化速率，甚至使氢化完全不能进行o。]，这严 重影响了材料的吸放氢效率。如在中子管的脉冲离子源中，要求Ti片中的D具有快速放和 吸功能，面表面污染的存在是极其有害的。 氧化层控制着Ti、Ti}L表面的氢吸附和释放速率，其主要危害是大大减少表面可提供氢 化学吸附的活性点【“，阻止表面的氢解离，但并不完全充当扩敏障碍n^。。为此，我们用过渡 金属Ni作表面催化剂兼保护屡，采用离子束分析方法研究有无Ni镀层的Ti薄膜的吸放氢特 性以及表面污染对它们的影响。 1实验方法 1．1样品制备 采用磁控溅射方法分别制备了表面有无催化屡Ni的Ti薄膜。Ti薄膜采用直流(DC)溅 氢化和热释放都在一台新建的吸放氢测试系统中进行。纯Ti薄膜样品吸氢前要进行 第十届全国电子束离子柬光子束学术年会 5001C真空退火除气(汽)，然后再在一定的氢化温度下通人99．99％的H2。 1．2样品测量 析实验是在本实验室的9SDH一2型串列加速器上进行的。其中薄膜吸氢量及热释放同时也 采用了气体状态方程(PVT)方法，两种方法的测量误差小于6％。 2结果和讨论 2．1 C、O污染对Ti膜吸氢的影响 由于钛膜极活泼，很难避免在真空溅射制膜、样品送人氢化装置的过程中带来的c、o杂 质污染及氧化层的生成，在吸氢前必须对钛膜进行表面激活【6』。氢化时，容器中的残余气体 杂质c、o也严重影响了Ti表面对氢的化学吸附和反应，共中以CO形式存在的c危害最大。 当杂质含量较低时，它们主要以表面吸附占据Ti表面活性态而减低氢的化学吸附粘滞系数； 当杂质含量变大时，o将与Ti反应生成氧化膜而大大减低氢化速率。CO在高温时与Ti反应 生成TiC膜以类似的方式阻止氢的溶入和反应。 换的深度分布。从图中可以看出，随着氢化温度的升高，含氢量逐渐增加。这是因为温度升高 加快了表面氧化膜的结构失效，同时氢在氧化物和金属体内的流动性也大大提高，使氢化速度 着探度而递增的，且坡度很大，并随温度的升高而增大，这一关系是与表面氧化膜的生长情况 相关联的，即与氧化膜的增长的温度、压力和氧化时间有关。由62MeVHe离子背散射能谱 氢沿深度的浓度分布主要依赖于O的浓度。根据用Rump程序模拟高能背散射谱中的C、O 峰宽分析可知，氧化层厚度在4txm范围内(0 体含量分布(--300rim)而c主要是在表面吸附及氧化层内，体内的含量很少。 423— 湖南·长沙 ,200 3㈨ S2000 u l舶0 图1不同温度下的He—H反冲能潜图和相应的深度分布图 a一60℃．b一200℃．c一400℃ 2．2 C、O污染对TiHx中H的热释放影响 5x2．0)组成。从深度分布看，在氢 分在两相区内，由H的a固溶体和a相氢化物TiH；(1 化物未分解前(200Y；时)，加热使氢扩散增强。但因表面氧化物势垒阻挡，其有少量H从a固 应大量释放，但是由于表面氧化物的存在阻止了H的逸出，实际上氢化物并未完全分解释放 掉，表面氧化物成为H释放的速率控制所在。 图2 Tz心在不厨温度下等温释放90rain后的ERE,能谱厦深度分布 a一束退火：b—180℃，c一270℃；d--400C