DrugFET分析克咳敏地研究.pdfVIP

2001年增刊 分析试脸室 Vol.20.Suppl. 2001年11月 ChineseJournalofAnalyticalLaboratory 2001-11 DrugFET分析克咳敏的研究 李先文’，杨伯伦’ (1.渭南师范学院化学系，渭南714000;2.西安交通大学化工学院，西安710049) 摘 要:本文报道了1种测定克咳歌的新方法，用硅钨酸作为电活性物质，将离子歌感场效应晶体管与 药物敏感膜相结合，制成药物歌感场效应晶体管传感器，侧定克咬歌的线性范圈为 .‘0x10-- 5.OxlO-molIL，适宜的pH范围为4.。一7.5,响应灵教度为59.50VIPC.用该传感器测定克咳教片荆的含 量，结果和药典方法相一致. 关键词:克咳教;离子教感场效应晶体管;药物分析 克咳敏是临床上广泛使用的镇咳药物。其含 (D)引线，仅使绝缘栅SiaNJSiO2层界皿在外面. 量多采用非水滴方法测定m.本实脸报道了一种 在SiA表面，涂扭一层敏感膜。就制成了克咳敏 测定克咳敏含t的新方法。将离子徽感场效应晶 敏感场效应晶体管传感器.具体制作过程为:称 体管 I〔SFET)与药物敏感膜相结合，制成药物敏 取适tIPVC粉，以邻苯二甲酸二丁菇为增塑剂、 感场效应晶体管传感器 (DurgFET)。它是全固态 硅钨酸为电活性物质，四氮映喃为溶剂，搅拌至 器件，具有体积小、易徽型化、集成化和多功能 透明，涂班在SiA姗极上，室沮干澡24h,然后 化的优点，且本身具有阻抗变换功能，物出阻抗 在1.OX10-moI/L的盐酸克咳教溶液中活化12h, 低，使用的测试仪器简单，操作方便。用其分析 即得到对克咳敏晌应的DrugFET, 克咳敏片剂，结果和药典方法相一致.DurgFET 1.3测f过程 由于所用的PVC药物敏感膜，可以方便地制作和 固定DrugFET的幼薄极电流IDS和汤派极电压 方便地除去，而且成本低廉，可以制成一次性传 v、，则翰出栅压v‘的变化犯溶液中待侧物质的 感器，用于医学临床枪脸，危重病人用药监护及 浓度遵循能斯特方程.其侧试原理见文献(3)。当 在线监测等方面。 敏感腆和待测溶液接触时，平衡后产生的膜电势 EY=RTlnai/2F,此时，DrugM 的栅电压是参比电 1实验部分 1.1仪公与试剂 极电位 ‘‘腆电位压和外加电压Vc的代数和。漏 ISFET测试仪 (自制，仪器原理见文献2), 源极电流Ia=[(Va+F,rV,)-V./幻,K为与敏感器件 PHS-3C酸度计 (上海分析仪器厂)，硅钨酸 ((A, 特性有关的奋效。V,为门值电压，其数值由敏感 R),聚抓乙烯粉 (PVC，上海旅原化工厂)。邻苯 器件特性和，比电极电位Eer决定。v二为汤浑极 二甲酸二丁酸 (A,R)，四组映喃 (A,R)，克咳 电压。在但流仃w-.0)和值压(VDS=O)的条件下，则 敏(原料药，符合药典规定)，实验用水为二次热 V},=Er-RTIrta./W-侧A时，以DragFET器件和3a 液甘汞电极 (217型，上海电光器件厂)组成侧 馏水. f电池，以愉出拐压Vmi.,的变化(△畔)对克咳 1.2DrugFET的制备 首先制各无金属.极的场效应晶体管;采用半 教浓度的负对教代 (eol/L)作田，得到工作曲 导体平面工艺技术，在6-8。.的P型硅(100) 线。 晶面上，制造绝跪介质为SW UN的n沟道耗 2结果和讨论 尽型场效应晶体管，它由两个金川极(沮极S, 2.1克映艘特感.的性能翻试 汤极D)和排尽在外的无金属引线的绝缘抽极所 2.1.1PH对月件的.晌 对1.OX10-俪I/L的克 组成，其结构今见文献t3). 咳敏溶液，用1mol几的HC1或NaW调节溶