GaAs太阳电池低温退火技术地研究.pdfVIP

差盎壁垒旦旦堡整鏖茔鲞金垫盈塞叁 ．—————————————盟一 GaAs太阳电池低温退火技术的研究 向贤碧常秀兰杜文会 中国科学院半导体所材料科学开放实验室 北京100083 摘要：本文介绍作者近年来在A／；Ga，。As／GaAs异质缩太阳电浊的研究工作中发展起来的一 实验，证明低温退火工艺技术是一项改进太阳电池性能的有效措施。AI。Ga。．。As／GaAs太 阳电池经过适当的低温退火处理后，其填充因子(FF)明显提高。开路电压(Voc)略 有增加．因而导致了太阳电池的转换效率的明显提高。作者用电化学C—V测量技术对退 火前后的外延片进行了测量分析．并对退火效应的机理进行了一些初步的探讨。 一、引言 AI。Ga，．、As／GaAs太阳电池具有许多固有的优点．与硅太阳电池相比较．它具有更高 的转换效率，更强的抗辐照性能。并且髓够在较高的温度下工作。因此．AI、Gat一。As／GaAs 太阳电池是很有前途的下一代空间能源。本文作者从90年代初开始采用多片渡相外延技 太阳电池的转换效率迭到了18 96％(AM0，4、4cm2，25℃)。 但是，我们发现．在我们实验室研制出的舢。Ga。．。AMGaAs太阳电池的填充因子 (F．F)不够高．特别是对于大面积的太阳电池．其填充因子(F≯)一般都低子o．7。这 一缺点严重影响了太阳电浊的转换效率的提高。经过分析我们认为．F．F．不够高的原因主 接触不良导致了串联电阻增大．而串联电阻增大又导致了光照下的I—v醵线形状交坏． 这就造成了填充因子(FF)变小。为了解决这一同题。我们提出了一种低温退火(LTA) 工艺，并把它应用到了太阳电池的器件工艺流程中。经过一系列的实验．我们取得了明显 的进屣。以下我们将介绍这项新的工艺技术以及它对GaAs太阳电池性能的影响。 二、实验 2l液相外延 我们采用多片液相外延技术和两步外延工艺来生长AlxGa。一。As／GaAz太阳电池结构外 延片。我们的外延设备和外延工艺已在以前的文章中作过详细介绍，这里就不再叙述。 p=2x102。cm一，A1的组分X=0 度一2mrn，浓度p一2x101SCrll。口 2．2器fl：-r艺 我们的太阳电池器件工艺与其它作者所采_甩的器件工艺糯似。我们采用正胶光刻与热 —．兰之—————————————一一 蔓盘壁垒璺旦堡整基茔垄金垫垒塞鑫～ 蒸发工艺来制作电极。正面栅极材料采用过CrAu，近两年来．改为TiAu。背面电梗材料 接触。样品在台金后还要经过电镀Ag的工艺过程，以增加栅线的厚度。最后把棒品的四周 边缘解理掉。以便保证太阳电池的边缘不短路。 本项工作的不同之处在于．当电池制备好之后。再把它放人到№气氛中进行低温退火 经LTA处理厝再把它压焊到一块特铜的印刷电路板上．再放人100℃的烘箱中烘烤4小时． 压焊的且的是使＆山太阳电池的机械强度得到增强。 这最后两步工艺是本文作者的刨新．来见国内外文献有过类似报道。经过一系歹Ⅱ实验． 我们发现这两步工艺对GaAs太阳电池性能的提高有很大帮助，特捌是低温退火工艺的作 用更加明显，我们将在本文的后半部分加以详细的介绍。 三、测量和结果 3．1光照下的I一、，特性测量 我们研制的所有GaAz太阳电池都进行了光照下的I—V特性测量。测量是在太阳光 模拟光源下进行的。光谱为AM0．光功率密度为100row^∞2，测量温度为室温。 可清楚她看出．在经过低温退火后．所有电池的开路电压(voc)．填充因子(F．F．)和 转换数率()都腮显地篪高了。最典型的—个样品是95—4—5f 3)．经过LTA处 理后．它的开路电压Voc从O．98V增加到1．015V，短路电藐密度bc从2199l_AJclll2增加到 236IRAJcn,12,而填充因子F．F的增加更为明显。从o618增加到了o748，总的结果是．效宰 LTA处理后。它的光伏参数为：Voc=I 19 34％(AMO，100row／era；，4．40，28t2)。 3．2电化学C．V测量 我们对少量样品进行了电化学C—V测量．以了解外延片中各层的载流子浓度分布。 图1给如了两个样品