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2000年10月·广西·北海 论第七届全国固体薄膜学术会议
SSP衬底上的薄膜太阳电池的研究
许颖 李仲明 励旭东
北京市太阳能研究所北京1O0083
沈辉梁宗存
0070
中国科学院广州能源所广州51
攮要:本文对颗粒带硅(SSP)衬底上利用快速热化学气相沉积(RTCVD)制备多
晶硅薄膜太阳电池作了探讨。在此基础上,获得了转换效率为2.93%的太阳电池,
并提出了进一步改进的设想。
关键词:颗粒带硅-书!速棼化差产相沉积·多晶硅薄膜
0引言
进一步降低成本,开发适于产业化的技术是未来光电器件发展的关键。薄膜硅
太阳电池由于其具有这方面的潜力而备受关注。目前.薄膜硅太阳电池面临的主要
问题是:在高温下,利用化学汽相沉积(CVD)方法,可以得到很高的转换效率“】,
然而,廉价的耐高温衬底材料却不易获得。德国Fraunhofer太阳能系统研究所开发
Sheetfmm
的SSP(SiUcon Powder)衬底成为解决这一难题的途径之一。目前,
得转换效率5-6%的电池{工艺中加入了隔离层和晶化手段,获得了转换效率ii.2
%的电池”’,这一结果,高于所有其它廉价底材上的薄膜电池效率。因而.这方面
的研究工作对低成本薄膜电池的发展有重要意义。
目前SSP材料主要分为两类.即用高纯硅粉和符合太阳电池要求的电子级硅粉
制成的。其特点是在制备过程中SSP带硅中的杂质含量增高。如何避免或缓解这一
问题的影响成为电池制作的关键。
1杂质、缺陷带来的问题和解决遍径
杂质、缺陷的含量对太阳电池的性能有决定性的影响。金属杂质,特别是重金属
杂质,作为有效的复合中心,直接影响光生少数载流子的寿命。氧、碳等杂质,虽
然一般是非电活性的,但可以促进缺陷的形成,或与金属杂质结合成为有效的复合
中心。各类缺陷可以引入缺陷能级,影响器件的少子寿命和输运特性。更为致命的
N结穿通,使光伏器件性能完全
是,杂质或缺陷一旦位于PN结耗尽区,可能导致P
丧失。
SSP材料作为一种高杂质衬底,在高温薄膜生长过程中.不可避免地对薄膜特性
产生不良影响。减少或消除这些影响的方法大致有三类:
(1}加入隔离层
隔离层通常为SiO:或sbN。,可以有效减少甚至消除衬底杂质对薄膜韵影响“l。
2000年10月-广西·北海 论第七届全国固体薄膜学术会议
然而.由于隔离层为高阻材料i需要其它方法去实现电极B}出,这就增加TT艺的
复杂性。
目前.我们已经提出了一种利用富硅Si0。或Si,N。在高温下形成硅岛.从而实现
电极引出的方法。该方法一旦成功.将在不使工艺复杂化的情况下.解决隔离层与
电彀引出的矛盾。
(2)吸杂技术
太阳电池中采用的吸杂技术,主要有磷吸杂、铝吸杂、硼吸杂等等,尽管通常
这些圾杂手段比较有效,一些关于硅体单晶或多晶的报道却显示,在某些情况下,
特别是对杂质宙量较高的材料.吸杂达不到应有的效果.甚至会有负面影响5“1。对
于SSP这类高杂质材料及其上生长的薄膜而言,吸杂技术是否有效值得商榷。
(3l快速生长技术
在高杂质衬底上外延时,当生长速度v∞t)‘嘶时,杂质浓度分布为
忡∞=争【e咖(者)】
其中,D为杂质扩散系数,t为生长时间,No为杂质在衬底中的原始厚度,x为外
延层至界面的长度。
由此可见,对于扩散系数较小的杂质而言,快速生长可以使其在薄膜中的含量
逐次降低,从而减少其有害影响;而对扩散系数较大的杂质(如Fe)而言,则不能
作到这一点。
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