γ和EMP综合辐射和单项辐射对电子元器件损伤效应异同性研究.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约6.13千字
  • 约 5页
  • 2017-08-14 发布于安徽
  • 举报

γ和EMP综合辐射和单项辐射对电子元器件损伤效应异同性研究.pdf

Y与EMP综合辐射与单项辐射对电子元器件 损伤效应异同性研究 赵洪超 周启明 (中国工程物理研究院应用电子学研究所成都610003) 摘 要 本文介绍了Y与EV,P辐射及Y与IEIlP辐射两种试验方法,研究了Y与E肿综 合辐射与单埙辐射对电子元器件损伤效应的异同性,井给出了韧步试验结果.在国内没育Y 与E肝综合辐射源的情况下,用本文介绍的试验方法可以得到较好的结果. 关键词 EMP,IEMP.y辐射,晶体管.试验 1弓l言 EMP作为y(或X)射线的次级效应,与Y(或x)射线密不可分。源区电磁脉 都是Y(或X)与EMP的综合辐射环境。过去研究电予系统抗Y瞬时、抗EMP,基 本都是分别进行实验研究,实验技术、加固技术各不相同。而且电子元器件的EMP 损伤研究,大多用电流注入法代替EMP能量耦合,测量损伤阈值或扰动闽值.Y与EMP 单项辐射与综合辐射对电子元器件损伤效应.到底有什么异同性?同时作用对电子元 器件的损伤机理如何?加固技术有什么异同性?这就是本课题的目的,进而为综合效 应总体加固技术提供前提条件. 2试验方法

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档