MEMS单片集成新方法与多孔硅牺牲层技术的研究.pdfVIP

MEMS单片集成新方法及多子L硅牺牲层技术的研究 王晓红，刘理天，李志坚，涂相征+ 清华大学微电子学研究所，北京，100084 摘要传统的封闭式MEMS器件制造方式，使得与标准Ic工艺兼容的单片集成较为困难。本 文提出一种新的MEMS单片集成方法一后微机械开放式制造方式，即先做集成电路和敏感元 件．利用相应的电路保护技术保护电路，再利用基于微机械的多孔硅牺牲层技术进行微机械 加工，实现MEMS器件的最佳集成。并对多孔硅牺牲层工艺进行了研究。 关键词MEMS集成，多孔硅，牺牲屠，Ic保护 o 、， 一、引言 80年代后刘微机械技术的迅速发展，使得硅微传感器的研究获得了极大的成功。应用方 面也取得了较大发展，己从原来的航空、航天、军工、工业控制等领域扩展到医学、家电、 汽车等民用领域。随着应用范围的扩大，对传感器的要求也越来越高。目前，半导体微传感 器研究中亟待解决以下几个方面的问题：I)传感器测量范围的拓宽；2)传感器性能的提高， 一是完善传感器的结构和制作工艺，二是研究新机理、采用新材料、制作新结构等：3)实现 MEMS器件的单片集成，口前，集成器件的产品多数