UBM的Ti金属化层的研究.pdfVIP

2002年中国电子学会第十二届电子元件学术年会论文集 UBM的Ti金属化层研究 刘豫东朱继满李倩倩马莒生 s．t 清华大学材料系，北京，100084，em8il：liuyudon997缸nailsinghua．edu．cfl ■l：本文介绍了倒装焊凸点堞用的u叫选取原则．结合实际情况选取了Ti作为黏附阻 挡层．比较了磁控溅射和离子柬辅助溅射两种工艺方法对Tj层与管芯结合质量的影响．采用纳米 硬度计的划痕功能测试了Ti膜的结合强度，结果显示两种工艺对Ti膜的抗划性能影响不大．推 荐生产中采用成本相对较低的磁控溅射法． 关键词： u蹦；，Ti层：磁控藏射：离子束辅助溅射 X 1．UBM的粘结层的选择 倒装焊技术以诸多优点成为当前芯片的主要键合技术之-[1】。凸点(见图1和图2)是实 现芯片倒装焊的关键结构。凸点主要起到芯片电信号连接、提供电能、散热等作用。但是通 常凸点材料是通过多层金属层实现与si管芯上Al压焊块的机械连接，凸点结构见图3。这些 金属层称为UB