电沉积GaAs薄膜肖特基势垒地研究.pdfVIP

电沉积GaAs薄膜肖特基势垒的研究 韩爱珍 高元恺 吴杰 胡柏祥 (哈尔满工业大学哈尔滨150001) 摘薹唯电沉积G“s薅脯上制作肖特基势垒并对其进行讨论文 1．引言 金属一半导体界面器件是应用于电子学的最古老的固态器件．近年来，随着半导体器件 的迅速发展．器件结构的不断改进，所用材料的不断扩充，对各种金属与不同材料．不同结 构器件之间的接触效应，尤其是金一半接触效应研究很多，出现了一系列新器件，比如肖特 基势垒太阳电池等。用来作肖特基垫垒的村底材料，除常用的si之外，Ⅱ卜V族化合物半导 体GaAs、InP等也受到了广泛的重视。 GaAs材料，具有与太阳光谱相一致的光谱特性，是曩适宜于用来制作光电池的半导体 材料。然而GaAs材料资源较少，制造工艺复杂，有毒，电池钢作成本较高．尽管GaAs电池 具有很多、很好的特性，可是上述原因制约了GaAs太阳电池的发展． 目前制备GaAs太阳电池的主要材料是GaAs单晶。它的制备方法很多．归纳起来可分为 两人类：一类是温度高于GaAs熔点(1238℃)的合成法；另一类是温度低于熔点的生长法． 两种方法均需大型的、无污染的、密封性极好的生产设备，其价格昂贵，而且还需要严格的 生产f艺，很不经济。然而GaAs也可以形成多晶固溶体，目前生长固溶体的方法有：溶体 生长法、气相外延法、液相外延法等。本文用化学电共沉积法制备出GaAs多晶薄膜。并用 该薄膜制备出肖特基势垒，对其制作工艺及有关问题进行讨论。 2．实验 2．1GaAs薄膜的制备 实验采用的设备及工艺在我们的先前工作中”1已作了详尽的报导。电共沉积制备GeAs 薄膜是一种电化学过程。实验是在含有Ga3+和AsO’离子的电解液中进行的．因为是两种元素 的电沉积，其放电电位为： 妒m2+o．254一O．0394朋+n019719a月∞++△仍， 妒却2-0．529+0．019719a∞“+△9b 其中Ga和^s的标准电极电位差别很大，而且^s的电位很正，当阴极有电流通过时， As首先在阴极上优先析出，当阴极表面覆盖As之后，镀层表面导电性下降。由于在沉积中 采取了有效措簏，当电流达到一定值时，Ga开始析出，随着Ga析出量的增多，阴极导电性 增强，As又开始析出，在选取最佳的工艺条件(电流密度，溶液浓度、温度、pH值和淀积 时问等)下，Ga和^s的放电电位可趋向～致，Ga和^s共同析出，实现了G8和^s的共沉 积，此时GaAs薄膜在导电基片上沉积出来． ·247· 2．2GaAs薄膜的测试 对大量GaAs薄膜，利用S-570型扫描电镜所配置的TN一5502型能谱仪进行成分分析 Ga与As的化学计量比接近1：l。… um左右。… GaAs薄膜的SEM照片表明薄膜为多晶结构，而且薄膜厚度约为2 GaAs薄膜通过x射线能谱仪测量，谱图如下： 。 t l l ； ； { I - I^ I I I l I I · s ： l l f I