宽禁带半导体材料与纳米材料低温光学性质研究.pdfVIP

32 一 丝垒窒竺里塞些兰查叁些 一 B一03 宽禁带半导体材料及纳米材料低温光学性质研究 万寿科孙学浩 王占国 (中国科学皖半导体研究所材料科学实验室，北京l(X)083) 摘要：我们建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统。陵系统剐 8K下进行 MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长高磷(P)组份的GaNhL三元合金(最高x=20％)，在4 143eV)红移 了PL谱测量。发现随三元合金中磷(P)组份的增加，CaNl-xE的PL峰(3．304ev．3．378eV．3 7cm3．进而在1700。C超高温 减小。对掺N的6H-siC单晶体在20kv