SiC晶须增韧TiB2陶瓷复合材料地研究.pdfVIP

速生长出的单晶试样，逐步加载界面发生位移和相对测出的声发射典型曲线，如图6所示。 另一类是Al溶液在较高温度8500C下，慢速生长出的单晶试样，逐步加载测出的位移和声发 射典型曲线．如图7所示。 纤维拔出测试。作用在界面上的剪切强度由式(1)表示： f=r／却，L (1) 式中F为纤维拔出时施加的最大载荷，Ⅱ为常数，如为纤维直径，L为试样参于拔出的有效 长度。两类试样，界面结合剪切强度，由(1)式计算的结果列于表l中。 表I 两类试样实验计算的界面剪切强度 试样 测试次数 最大载荷 纤维直径 有效长度 界面剪切强度 型》 迦垫2迎婴) i!竺尘 无反应物界面 6 97 0．4 3 25．7 有反应物界面 6 76 0．4 3 ，20．1 3．实验结果分析 3．1纤维载荷—位移 在拉拔实验过程中，纤维与基体之间产生相对位移，从图6和图7中的载荷一位移典型 曲线可以看出：两者在初始加载时，整个纤维并未产生位移。当继续加载时，纤维上部观察不 到位移迹象，但在下部观测出微小的位移变化。表明：AI单晶与SiC纤维之间，界面已发生 了极小的局部脱粘。当纤维再继续增加载荷达到最大值时，载荷突然下降。从图3和图4典 型照片里看出．纤维上部凹进去和下部拔出的形貌。这表明：界面完全脱粘，纤维已进行了 整体、滑动。可是载荷非常不稳定，形成跳跃式的下降，很难测出载荷的确切数值，这时纤维 位移也突然加速或停止式的交递进行。表明：在纤维全部滑动时，界面有一种阻力所制约，使 纤维载荷一位移造成非稳定状态。当非稳定态持续一定阶段，界面阻力得到不同程度的解脱 后，导致载荷—位移达到稳定态进行，呈直线下降。 从上述纤维拔出时，观测到的现象，可综述分析得出：在界面受力过程中，开始仅是局 部脱粘，而后脱粘扩大，达到完全脱粘后，界面方可进行整体滑动。并伴随着滑动的受阻：引 起非稳定滑动。当受阻解脱后，界面才能以均匀滑动方式进行。 3．2界面滑动声发射监测 从图6和图7中，另一组典型曲线，即纤维滑动时声发射信号监测的特征来看，在纤维 尚未出现明显滑动之前，声发射不出现信号上的变化。当纤维发生滑动时，声发射信号的幅 度，阶梯式的上升很快，表明：界面已开始局部脱粘和脱粘区逐步在扩大。在纤维载荷增到 最大后，突然下降，这时声发射信号达到最高峰，也突然下降，而后出现多个峰幅，呈逐步下 落趋势。这表明：界面完全脱粘，滑动发出跳跃式的进行，伴随有一种摩擦阻力在制约。当 摩擦阻力解脱后，声发射信号峰幅突然回落N-f1槛值，不在出现声发射信号的变化。这和纤 维加载—位移典型曲线相对应，进一步描述了界面滑动的全过程。 上述声发射信号结果分析得知：采用声发射监听，可敏感地描述界面局部脱粘，乃至脱 粘扩大到全部脱粘的整个过程。并且也可灵敏地监测出界面滑动受阻情况。以及界面作纯滑 动时不产生明显的声发射信号发生。 3．3界面反应物与剪切强度 RJ，Arseranult和DoJolL∞等人的工作报道【6，71，认为舢和SiC发生化学反应与温度 能发生界面反应，生成AhC，化合物，并且伴随析出的Si溶入朋基中。我们的Al单晶，SiC 纤维复合材料试样，一类是6900C温度下，快速生长，认为是无化合物反应的界面试样。另 一类是8500c温度下，慢速生长，认为是有反应物界面的试样。从表I中可以看出，8500C温 度下慢速生长的^J单晶，siC纤维试样，测出的界面剪切强度，比6900C温度下，快速生长的 舢单晶／SiC纤维试样，界面剪切强度要低。这种界面剪切强度的降低，可归因于8500C温度 下慢速生长的试样，由于在界面上生成Al。G化合物，它比较脆，降低了界面结合力，导致界 面剪切强度的降低。 4．结论 (1)在A1单晶中纤维拉拔，开始界面仅产生局部脱粘和脱粘的扩大，在界面全部脱粘后才能 滑动。并伴随着滑动的受阻。在受阻解脱之后，界面才能均匀地滑动方式进行。 (2)声发射监听可敏感地测出界面局部脱粘和脱粘的扩大到完全脱粘，以及界面滑动受阻情 况。 (3)界面上存在Al。G化合物，它是一种脆性