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分子束外延碲镉汞薄膜的拉曼光谱研究
于剑王桂华+于梅芳何力季华美郭少令褚君浩
中国科学院红外物理国家重点实验室上海200083
’上海师范大学化学系上海200233
窄禁带半导体碲镉汞薄膜由于其在红外焦平面探测器应用方面的独特优势，已经引起人
们广泛的研究．碲镉汞薄膜的光学和电学性质的研究是其中非常重要的一个方面，有助于深
入理解碲镉汞薄膜材料物理和探测器物理．各种光谱手段的应用可以直接或间接得到薄膜
材料的光学和部分电学参数，对薄膜材料的物理评价和器件工艺评价有独特的优势、其中拉
曼散射光谱(包括共振拉曼散射光谱)作为晶格振动声子谱的强有力的探针，可以得到碲锅汞
薄膜的组分空间均匀性，杂质，离子注入损伤，电子．声子相互作用，能带结构等等信息，是
其他光谱手段(如椭偏光谱，调制反射光谱，荧光等)的重要补充目前，碲镉汞拉曼散射光
谱的研究主要集中在80．200era。1范围内，对于低波数和高波数范围研究的甚少．“在本实验
中，我们采用SPEX1403双光栅拉曼光谱仪和SuperLabRAM显微拉曼光谱仪对分子束外
延碲镉汞薄膜在70．900cm-1范围进行了初步研究，得到一些有意义的结果
本文所采用的分子柬外延长波碲镉汞薄膜样品结构如Figl所示，其结构参数和碲镉
汞的生长组分列在表1中．
CdTe
cap
H舀．、Cd。Te
Cdlb
GaAs
1分子束外延碲镉汞薄膜结构示意图
Fig
表1．碲镉汞薄膜材料的生长组分，结构参数
样品编号 组分X do。(A) dMmnl)dhm，(肛Ⅱ1)
0．223 400 10．5 3．40
gamct098
0228 400 14．6 3．85
gamct064
0．230 400 10．5 3．60
gamct076
0．232 400 lO．O 320
gamct096
2是在SPEXt403双光栅单色仪上进
激光拉曼背散射光谱测试是在室温下进行的Fig
行的，散射信号用光电倍增管记录，激发波长为氩离子激光器488nm，激光输出功率为
3是在SuperLabRAM小型显微拉曼光谱仪上进行的，
500mw：光谱分辨率优于±3cm～Fig
激发波长为氮氖激光器6328rim，激光输出功率为10mW,散射信号用CCD探测器记录，光
3中，测试是分段进行的．同时，我们对这四块样品进行了室温
谱分辨率为±Icm～在Fig
红外透射光谱测试，验证了碲镉汞薄膜生长所设计的组分
～
gamcl008
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