硅碳氮薄膜纳米硬度研究.pdfVIP

{ l l ； l 硅碳氦薄膜的纳米硬度研究 彭晓峰，宋力昕，乐军，胡行方 (中国科学院上海硅酸盐研究所．上海200050) 摘要：采用射频反应溅射工艺分剐在吉氯气氛中 O-一3kV．10-q3，6MUz)上反应溅射沉积了两种SiCN 溅射SiC靶和在奢碳气氛中溅射SbN．靶制备了两种 薄膜·靶尺寸为≯lOOmm．反应室预真空低于io-腿 无定形硅唛氮薄膜．通过NanoIndenterXP型豆擞硬 沉积时气压为0．SPa，溅射靶压从1．6kV铷3．0kV不 度分析越来测量薄膜的硬度．分析了薄膜硬度与其 等．对应功率为140W到620W。基片为单面抛光的 组成姑构的关系，蛄果表明sic键对薄腱的力学性 单晶si(too)和JGSl石英基片．村底用循环水冷却． 能起±垂作用． 沉积时间为60min．第一种SiCN薄膜为热压烧结多 关键词：硅硪氯舯I；纳米硬度 晶SiC靶。溅射气氛为氩气和彝气仳：A产l_4)；另一 种是利用热压烧结多晶si，N．靶．溅射气氛为氩气和 l引言 甲烷气体(c也：AFl：8)·薄膜的力学性能用 NanolndcntaXP型显微硬度分析仪来分析a 在Cohen预言可能存在一种物质p-c抖,比垒刚 石的硬度还要大后，在材料领域内掀起了寻找这种 3结果与讨论 物质的热潮札≈．在早期报道的文章中很多都提到制 备出了C扛‘晶体。目前已有一部分实验}羊品被证明 图1为典型的SiCN薄膜的加载卸载曲线·测 应为SiCN*if4，而非碳氮材料。由于在热过程中很 量系统带有CSM动态测量技术．可以直接得到开始 容易使得SiC和SigN_．发生相分离．因此目前的研 有基底艘应的捌量深度．图2为根据图1加蓑卸装 究主要集中在无定形材料中．结果表明无定型SiC，Ny 具有优异的抗氧化性能(最高温度可达1600℃p”，曲线获得的显微硬度和弹性棋量髓压癯深度的变 am、而弹性模量则在50nIn左 超高的硬度和优异的抗腐蚀性能唧．但其性能是随着 化．薄膜硬度在100 薄膜组成的变化而变化的．就硬度而言，一般都认 右时趋近稳定值．因此，我们可以通过这种测量获 得确切的薄膜力学性能。薄膜的显微硬度受到很多 为Si-C键在SiCN中起主要作用．R∞∞研究表明 园素的影响．值得一提的是，从加茕卸载曲线看· sp2-sp3结合的s啊“j薄膜的显微硬度值有报大提 II仪器测量的 高”：而