功率晶体管驱动电路探究.pdfVIP

功率晶体管驱动电路研究 盐城工学院陈荣刘长学(224003) 摘要：本文介绍了大功率晶体管对基极驱动电路的要求，以及驱动电路实现信号隔离、放大、波形改善、抗 饱和及过电流保护方法．构成了实际驱动电路，并用于生产实际，满足实际要求。 关键词：功率晶体管隔离放大驱动保护 1、概述 随着技术的发展，电力电子技术的应用范围已经渗透到生产生活的各方面，尤其是现代 电力电子技术，伴随着先进的控制技术和新型电力电子器件的出现．确实在该领域中领导着 一场革命。现代电力电子技术的产生和发展，主要是以各种各样的可控自关断电力电子器件 为特征，主要有：大功率晶体管GTR，功率场效应晶体管(MOSFET)，绝缘栅晶体管 (IGBT)，MOS控制的晶闸管(MCT)等，后三种由于驱动电路所需的功率极小，给驱动控制 电路的设计带来了极大的便利。大功率晶体管的输出电流受输入电流控制，有三种工作状态 即：I-(0的截止状态，I“=I。／B的放大状态，及I-I。／8的饱和工作状态。则只要晶体管导 通，其基极就必须有合适的基极电流来维持。由于工作电流较大，电压较高，在这种使用场 合的GTR是不可以工作在放大状态的，只能工作在开关状态。因此属于通过对基极电流控制来 控制其集电极电流通断的电流放大型开关元件