2.42.5瞬态性质.pptVIP

北京邮电大学顾畹仪 2.4 半导体激光器的瞬态性质 一、瞬态现象 二、速率方程组及其解 三、自脉动现象 影响有源区电子、光子密度的主要因素 电流的注入 自发发射和受激复合过程 光子有一定的寿命时间 2、速率方程组的稳态解 （1）稳态条件：没有自脉动现象的激光器，注入恒定电流，经瞬态过程，电子光子密度达到稳定状态 （2）稳态方程 小结： 张弛振荡的衰减时间? 0 = 1/?，与? sp 同一数量级，并随注入电流的增加而减小； 张弛振荡的角频率与? sp和? ph 有关，并随注入电流的增加而升高。 （2）电光延迟时间 小结 电光延迟和张弛振荡是LD固有的瞬态效应, 而且对高速直接调制造成严重影响。 适当增加直流预偏置电流可明显抑制电光延迟和张弛振荡。 自脉动现象是与LD内部的不均匀特性有关，可以通过改善工艺而消除。 * 一、瞬态现象 1、瞬态现象:半导体激光器在进行直接调制时显示出来的现象。 （1）张弛振荡和电光延迟：固有的瞬态现象 （2）自脉动现象：内部不均匀所致 2、瞬态过程的物理解释 —电子和光子相互作用 t=0: 阶跃电流脉冲注入 0-td: 对导带底部填充电子， 使电子密度达到nth td –t1： 激光器开始激射，光场建立，导带中电子的超量填充 t1 –t2 ：有源区过量复合 t2 –t3： 过量复合持续，电子密度降到nth 以下，S也下降 t3以后： 重新对导带底部填充电子 二、速率方程组及其解 1、简化速率方程组 （1）简化条件 注入电流均匀恒定，不需考虑梯度场和漂移场的影响 光子完全被介质波导限制在有源区中，不需考虑側向光场漏出 忽略非辐射复合的影响 阈值以上单纵模振荡 n(t)和s(t): 分别为有源区里自由电子和光子密度 j: 注入电流密度 e0： 电子电荷 d: 有源区的厚度 Rsp： 自发发射的速率，Rsp = n(t)/ ?sp g(n): 增益函数 ?ph： 光子的寿命时间 ?： 自发发射进入激光模式的系数 （3）稳态方程的解 1) 有源区电子密度随注入电流密度的增加而升高， 使增益函数随注入电流的增加而加大。 2) 激光器达到阈值后，增益函数达到饱和，自发发射速率也达到饱和。 阈值以上，光子密度和电流之间呈线性关系。 3、速率方程组的瞬态解 （1）小信号近似解 小信号分析法（仅适用于瞬态过程的末尾） 代入速率方程, 得到: 方程两边再次求导, 利用关系式 为常数, 得到 ?sp~10-9s，?ph~10-12s 式中 阈值以下时 电光延迟时间与自发发射寿命时间同数量级, 随注入 电流的增加而减小。 减小电光延迟时间的有效方法：加直流预偏值电流 若 则 所以，直流预偏值电流可以大大减小电光延迟时间，也可抑制张弛振荡。 4、码型效应 原因：电光延迟 有源区里电子的 存储时间 特点：脉冲序列中较长连0以后出现1码光脉冲的幅度明显下降。调制速率越高、连零数越长， 码型效应越明显。 抑制方法：适当地增加 直流预偏置电流 三、自脉动现象 1、自脉动现象的特点 持续、等幅、归零振动 等间距、窄脉冲 与注入的总电流有关，与调制状态无关 往往对应P-I曲线的扭折区 某些激光器在某些注入电流下，输出光出现持续脉动现象。 2、自脉动现象的机理 —— 非线性增益 Rst直线：增益等于损耗； 直线上方：增益大于损耗，不稳定区 直线下方：增益小于损耗，不激射区 若增益曲线出现超线性增益，与Rst直线有两个交点sasb, 在这两点间某一点满足阈值条件，则可能产生类似重Q开关的 行为。 超线性增益可能的机制 不均匀电注入（增益不均匀，不均匀串联电阻，不均匀阈值）本征可饱和吸收区 高密度体内可饱和吸收中心（带尾或杂质缺陷） 不均匀吸收（暗线，暗区，表面耗尽层组分不均匀等） 光丝耦合 增益不稳定空间烧洞