ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制地研究.pdfVIP

中国机械工程第16卷增刊2005年7月 ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究 陈 兢 北京大学微米／纳米加工技术国家重点实验室，北京，100871 摘要：对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析，通过改变刻蚀／t4化周期、平板 电极功率、钝化气体C。F。流量以及重叠周期等工艺参数，对侧壁的形貌进行调整。通过实验，得到了控制侧壁 工艺，取得了很好的效果。 Bowing效应 中图分类号：TN305．95文章编号：l004—132x(2005)S1一0476～03 TrenchProfileControlofSiliconDRIEProcessonICPTools Chen Jing National of Fabrication KeyLaboratoryMicro／Nano Technology， PekingUniversity，Beijing，100871 ordertocontrolthetrench effectsof the hadbeenana— Abstract：In profile，the changingprocessingparameters hadbeen to the andthe whichthe lyzed．Newetchingrecipes developedgeneratepositive negativeprofiles，in process havebeen toreducethe faultlike effect．Anovelmethod and parameters optimized profile Bowing combiningisotropic hasbeen toeliminatethe freerefilledtrenchesforisolationhavebeen anisotropicetchings proposed Notchingeffect；void fabricatedthismethod． successfullyby Key effect words：MEMS；inductivelycoupledplasma(ICP)；DRIE；sidewallprofile；Notchingeffect；Bowing 0 引言 广到所有的微器件。 本文对影响ICP刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了深 深反应离子刻蚀(DRIE)已成为一项重要的MEMS 加工工艺，在各种微结构和器件的加工中得到了日益广泛 入分析，通过实验，得到了控制侧壁形貌正负的优化方案， 的应用。它的主要特点是垂直性好，具有很高的深宽比。特 COU— 应的新方法，并用于深槽隔离工艺，取得了很好的效果。 别是近年来出现的电感耦合等离子体源(inductively piedplasma，ICP)，使高密度反应离子刻蚀工艺日臻成熟。 1 ICP刻蚀原理及侧壁形貌控制 ICP技术采用氟基气体作为刻蚀气体和侧壁钝化用聚合 物生成气体，从根本上解决了系统腐蚀和工艺尾气的污染 图1所示。刻蚀工艺过程分为两步：刻