《自动检测技术及其的应用》第7章-霍尔传感器及其的应用.ppt

第7章 霍尔传感器及其应用 本章主要学习霍尔传感器的工作原理、霍尔元件的结构、霍尔集成电路的特性及其在检测技术中的应用。 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。属半导体磁敏传感器。 1879年，美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应。但真正得到应用是随着半导体技术发展开始的。 基于霍尔效应的霍尔传感器是将被测量（如电流、磁场、位移、压力、转速等）转换成电动势输出。 §7.1 霍尔元件的结构及工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间产生霍尔电势。 二、霍尔效应的工作原理 作用在半导体薄片上的磁场强度B 越强，输入电流越大，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示：EH=KH IB　(KH称为霍尔元件的灵敏度） 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为 EH=KHIBcos?