Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究.pdfVIP

第 32卷 第 2期 周 口师范学院学报 2015年 3月 Vo1．32 No．2 JournalofZhoukouNormalUniversity Mar．2O15 Mn掺杂 GaAs稀磁半导体的第一性原理研究 张云丽 ，杨建国 ，朱 自强 ，周小东 ，巫洪章 ，谭明秋。 1．周 口师范学院物理与机电工程学院，河南 周 口466001； 2．周 口师范学院 稀土功能材料及应用重点实验室，河南 周 口466001； 3．浙江大学 物理 系，浙江 杭 州 310007 摘 要 ：稀磁半导体 因兼有半导体及金属共 同特性，在 电子器件和磁性方面有着广泛应用．因此，无论从理论 还是应用上研究稀磁半导体都具有重要意义．本文基于第一性原理计算研究了Mn掺杂 GaAs稀磁半导体的 稳定结构、磁序特点、磁性来源及 电子结构．首先，计算研究了GaAs的电子结构，证实其半导体特点；其次，研 究发现 了铁磁 FM 构型为 Mn掺杂的 GaAs体系的最稳定构型，并且基于该稳定构型进一步研 究发现 Mn 掺杂 GaAs的磁性主要来源于 Mn原子 ；最后 ，研究发现 Mn掺杂 GaAs体 系的电子结构具有稀磁半导体特 性 ，并基于此展望 了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景． 关键词 ：稀磁半导体 ；第一性原理 ；电子结构 ；磁性质 中图分类号 ：O472 文献标 志码 ：A 文章编号 ：1671—9476 2015 02—0049—04 IN l：10．13450／j．cnki．jzknu．2015．02．015 稀磁半导体 DMS 是指利用 3d族过渡金属 吸引力 ，因此 ，最近涌现出了人们对于 Ga，Mn 或者 4f族稀土金属 的磁性离子取代 Ⅱ一Ⅳ族 、Ⅳ一 As稀磁导体的研究涌现出热潮 [8-10]．人们对Mn掺 Ⅵ族 、Ⅲ一V族等半导体 中的部分带正电的离子而 杂 GaAs稀磁半导体材料的制备、结构 、和磁性做 形成 的新 型半导体材料 ，如 Zn一MnSe，Sn一 了大量 实验研究_】卜]，然而有关 Ga一MnAs的 MnTe，Zn。一MnO等．稀磁半导体因兼有半导体 理论研究相对较少 ，本文采用基于密度泛 函理论 及金属共同特性使其在 电子器件和磁性方面有着 DFT 的第一性原理对 Mn掺杂 GaAs稀磁半导 很广泛 的应用 [1]，因此 ，无论从 理论还是应用上 体的稳定结构、磁序特点、及 电子结构研 究，发现 研究稀磁半导体都有重要的意义，稀磁半导体 已成 Mn掺杂GaAs体系的稳定构型，为得到Ga一Mn 为近年来研究的热点[3-7]．GaAs是一种重要 的半导 As稳定构型、磁性来源 、解释 Mn掺杂 GaAs体 系 体材料 ，禁带宽度 能隙 1．4eV与太 阳光谱 匹配 导致其具有稀磁半导体特性的原因，为进一步进行 好 ，具有熔点较高 1238℃ ，耐高温等较好特性 相关研究提供理论引导，并可基于此探求 了其应用 使其在 电池 、半绝缘高阻材料、集成电路衬底 、探测 前景． 器等方面有着广泛应用．1996年 ，OhnoH 等用低 1 结构模型和计算方法 温分子束外延 LT—MBE 方法研究制备 出基于Ⅲ 一 V族化合物 GaAs新型稀磁半导体化合物 Ga一 1．1 结构模型 MnAs Mn组分 在 0．015～0．07范 围 [， GaAs的晶体结构如 图 1，这个化合物的空间 Ga，Mn As的发现标志着稀磁磁性半导体 的新 群是 F一43M No．216 ．实验上的晶格常数是 口一 时代． Ga，Mn As因既具有Ⅲ一V族化合物半导 b— c一 5．76309A ，每个晶胞模型中含有 4个 体 GaAs的特性 ，又具备铁磁化合物 的特点，并与 Ga原子和4个 As原子．为了构造实验上 Mn掺杂 Ⅲ一V族异质结技术有很好的兼容性使其具有独特 GaAs体系的掺杂浓度 0．015～0．07 范围内的 收稿 日期 ：2014—11—17；修回 日期 ：2014—12—20 基金项 目：周 口师范学院高层次人才科研启动经费项 目 ZKNUB座机电话号码 作者简介 ：张云丽 1982一 ，女，安徽太和人，讲师，博士，主要从事第一性原理理论计算研究 5O 周 口师范学院学报 掺杂体系 Ga MnAs，基于 GaAs构造了2×2× 密度显示fIl半导体特性 费米面附近态密度在能量 2的超晶胞 ，如图 2，其 中两个 Ga原子被 Mn原子 区间段 内存在零值 ，带 隙约为 1．0eV 费米面 取代 ，得到掺杂浓度为 2／32，相 当于实际取 Mn掺 E 附近态密度为零 的能量间隔范 围 ，分波态密 杂浓度为 6．25 ．通过将 图 2中的上下面和左右面 度可