电力电子技术-第1章-电力电子器件2.ppt

1.8.1 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿 ■ 1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 静态均压措施： 选用参数和特性尽量一致的器件 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多 图1-41　晶闸管的串联 a)　伏安特性差异　b)　串联均压措施 ■ 1.8.1 晶闸管的串联 动态均压措施 动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压 动态均压措施： 选择动态参数和特性尽量一致的器件 用RC并联支路作动态均压 采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异 ■ 1.8.2 晶闸管的并联 目的：多个器件并联来承担较大的电流 问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀 ?均流措施 挑选特性参数尽量一致的器件 采用均流电抗器 用门极强脉冲触发也有助于动态均流 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接 ■ 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 电力MOSFET并联运行的特点： Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联 电路走线和布局应尽量对称 可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用 ??IGBT并联运行的特点： 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数，在以上的区段则具有正温度系数； 并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联 。 ■ 本章小结 电力电子器件的概念、特征和分类以及应用电力电子器件的系统组成； 不可控器件：各种电力二极管； 半控型器件：晶闸管； 典型全控型器件：电力MOSFET、IGBT； 电力电子器件的驱动及保护电路。 作 业 P42 题1、2、3、4、7、8和9 其中： ①题7改成：驱动电路的作用、任务、隔离方法；晶闸管触发电路的要求，实现方法；IGBT、MOSFET驱动电路的特点。 ②题9只写IGBT和MOSFET 的优缺点。 本章小结 ? 当前的格局: IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固 ■ 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 转移特性 输出特性 返回 图1-32　电力MOSFET的一种驱动电路 返回 图1-33　M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 返回 图1-34　过电压抑制措施及配置位置 F?避雷器　D?变压器静电屏蔽层　C?静电感应过电压抑制电容 RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路　 RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV?压敏电阻过电压抑制器　RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4?直流侧RC抑制电路　RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路 返回 图1-38　di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形 电路 波形 返回 《电力电子技术》 电子教案 第1章 电力电子器件2 1.5 其他新型 电力电子器件 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT 1.5.2 静电感应晶体管SIT 1.5.3 静电感应晶闸管SITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路 注：以上内容自学，简单介绍1.5.5节 1.5.1 MOS控制晶闸管MCT MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 MCT结合了二者的优点： MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程 晶闸管的高电压大电流、低导通压降 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大