Cd-%2c1--xZnxTe晶格常数的测定.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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A andM 5．结论【3】M Halliwell H The Lyons of curvesfrom 运用x射线衍射的动力学理论模拟了近完 interpretation x-ray rocking 整的InP晶体以及碲镉汞外延材料的x射线三 semiconductorsdevicestructuresJoumalof Growth1984．68，523—531 轴衍射摇摆曲线。模拟结果表明InP单晶的三 Crystal E MandelbrotandD 轴摇摆曲线能够很好的理论模拟，而对于非完【41 Gartstein，M Mo垂lyanski Instrumentaleffectsin diffraction 整单晶碲镉汞外延材料，运用所建立的模型也 origin triple—axis 能够很好的理论模拟。研究结果也表明，高分 J．Phys．D：ApplPhys．，2001，34：A57-63 andKJ Lobeek 辨x射线衍射的计算机模拟是获得材料晶格完【5】W．J．Barterls，J．Hornstra X·ray diffractionof and Acta mulfilayers 整性参数的一种非常有效的方法。 supeflatfices Cryst，1986，A42，539-545 UandBanmbachT v，Pietsch 参考文献【6】Holy High Bowen K fromfilmsand 【1]D．Keith andBrian resolution scattering Tanner．High x-ray resolution and 1999 X—raydiffactometry mulfilayers．BedimSpringeL Topography, lbers Ltd2001 【7】7 J．A andwCHamilton．Internationalt