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NPT型IGBT技术特点 西安t帕克电力电子有限公司 王晓宝 ■薹：奉史诗连TNPT型IGBT的■抽、工艺、特性．井与PT盟IGBT在t构工艺置特性方面进行了比 较。NPT蔓IGBT在遣忐疆耗和开关疆托方面下降20％。改善T安生工作臣(SoA)和短牟末受魄力．捉南 丁可蠢挂。 (b)所示。NPT(非穿通星)IGBT是在轻掺杂 1．引言 N一型单晶片上嗣作的，所需的发射区是在硅 IGBT是MOS与BJT的复合基功率器片背面藏薄后商能P+离子注人形成的。图一 件，白八十年代中期以来，国际上各大半导体公 (a)所示。 司都投人巨资发展IGBT。经过近二十年的发2．2N一基医与P+曩电区覃虞 展。人们研究了各种结构来改善IGBT的电特 PTIGBT工艺使用的N一区厚度必须能 性。NPTIGBT就是近几年发晨起来的单晶型够维持颧定电压所需的最小厚度。600ⅣIGBT (非穿通型Nonpunchthroush]IGBT器件。已外延N一基区厚度约为60／．tm．P+集电区厚度 经成为600V以上器件的主藏产品之一。IR和 IGBT外瑶N一基区厚度约 约32帆m；1200V 西门子公司等在其产妊中均采用这一技术。 为舯州1．P+集电区厚度均30咄m。 NPTIGBT工艺所需的N一区厚度大于维 2．结构特征 IGBTN一基 持额定电压的量小厚度。60ⅡV 2．1村底材辩 区厚度约为90(m，P+集电区厚度约卸m。芯 IGBT IGBT器件是在MoSFET基础上发展起 N一基区厚度约 片厚度lOOpm；1200V 来的，常规的IGBT为穿通(PT)型，即在重掺 为165fIm，P+集电区厚度约5岬，芯片厚度 杂P+型单晶片上生长外延层N+区(称为鹱 175tⅡn。 冲层)和N一区(形成基区)，在外延层N～区上2．3工艺特点 制作[GBT，村底为重掺杂P+强单晶片。图一 盯型IGBT使用的外延片材料价格贵， 减薄后芯片厚度 纷为38脚∞； NPTlGBT工 艺与PT基本相 同，难度是硅片 藏薄工艺，藏薄 后增加高能P+ 离子注人。图一 给出了NPT与