蓝光氮化铟镓量子井雷射之电子溢流现象与电洞不均匀性.doc

藍光氮化銦鎵量子井雷射之電子溢流現象與電洞不均勻性探討 張誌原+、郭艷光* (+研究生，*副教授) 國立彰化師範大學物理研究所 E-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw 摘　　要 本篇論文利用Lastip模擬軟體來探討藍光氮化銦鎵量子井雷射（發光波長462 nm）之電子溢流與活性區之電洞分佈不均勻現象。結果發現在室溫下電子溢流的現象就相當明顯，而且隨著溫度的上升越來越嚴重。這種現象的產生不只影響發光效率，也會大幅降低元件的使用壽命。為了改善此一現象，我們試著去增加p型薄膜的摻雜濃度以及加入一氮化鋁鎵阻礙層，結果發現兩者都能有效的降低電子溢流的程度。除了電子溢流之外，我們也發現在氮化銦鎵量子井元件的活性區中存在著嚴重的電洞分佈不均勻現象，使得單一量子井雷射的效能遠優於多量子井雷射的效能。模擬結果顯示，在量子井旁的barrier層進行電洞摻雜能有效的改善此一現象，並因此而促進元件的雷射效能。 一、前言 最近幾年來，氮化銦鎵材料以其寬能帶間隙與高發光效率，在短波長發光元件的應用上扮演著重要的角色[1][2]，尤其是在高連續操作時間(超過10,000小時)的雷射二極體與紅光範圍的發光二極體成功的被開發出來之後[3]，Ⅲ-Ⅴ族氮化物似乎有凌駕磷化物而獨佔整個可見光範圍的趨勢。但實際上直到目前為止，在紅黃光附近的發光元件仍舊以磷化鋁鎵銦材料為主要的商業化產品，主要的原因除了因為前者的造價昂貴之外，製程複雜與氮化物發光機制不易掌控也是發展的瓶頸之一。 在光電半導體元件的操作過程中，溢電流的產生不僅會降低元件的發光效率，連帶的也會造成溫度的上升，因而影響元件的使用壽命，因此在設計一個半導體發光元件時，如何有效降低電子溢流將是非常重要的一個設計環節。造成半導體元件電子溢流的可能原因有很多種，其中導致III-V族氮化物容易產生電子溢流的第一個可能原因是由於活性層與披覆層之間導電帶與價電帶的band-offset比例較小[4]。如果以最常被引用的Martin等人所提出的3/7比值[5]來看，導電帶的band-offset所佔之比例較少，也就表示量子井與披覆層間導電帶的能帶間隙相差較小，因此電子將比較容易由活性區往p層移動，因而造成電子溢流的現象。 第二個可能的原因來自於氮化物元件偏高的臨界電流值。在氮化銦鎵半導體雷射中，由於應力所產生的延伸性缺陷、p態薄膜的長晶不易、以及利用蝕刻所形成的雷射鏡面不夠平整等[1][2][6][7]，都會造成元件具有相當高的內部損失，並因此提高雷射的臨界電流值，而高電流操作除了會大幅提升活性區的電子數目，因而增加電子溢流的機會外，較高的電流輸入往往也會造成元件溫度的上升，使得活性區的電子有足夠的能量溢流至p態薄膜中。 第三個可能的原因是由於p態薄膜的電洞不容易傳輸至活性區中[4]。氮化鎵相關材料因為電洞有效質量較大，以至於電洞移動速率較低，因此造成電洞的傳輸困難；此外，p態薄膜的長晶不易以及價電帶較高的band-offset比例也都會影響到電洞在p態薄膜以及活性區中的移動能力。由於活性區中無法累積大量的電洞，因此也就不易達成粒子反轉效應，也就是說需要在更大的電流輸入下才能產生雷射輸出，而這種偏高的操作電流正是造成嚴重電子溢流的原因之一。 基於上述的理由，我們可以預期氮化銦鎵半導體雷射可能具有嚴重的電子溢流現象，並因而影響元件的發光效率。上述的電洞傳輸不易現象除了會導致電子溢流的產生之外，也會造成活性區的電洞不均勻分佈，並因而大幅降低多量子井雷射的效能。這種雷射性能隨量子井個數的增加而下降的趨勢已經有研究人員經由實驗結果獲得證實[8][9]，並且將此現象歸因於長晶過程中銦的揮發所造成的結果。在本論文中，我們以理論模擬的方式驗證此一現象，並且證明造成此一現象的另外一個更為基本的原因在於活性區不均勻的電洞分佈。 二、模擬結構與參數設定 本節將介紹模擬上所使用的元件結構以及一些重要的參數設定。在模擬結構的設定上，首先假設一n態的氮化鎵薄膜為整個元件的底層，接著再長一層同樣是n態的氮化鎵薄膜，其厚度為0.1 μm，摻雜濃度假設為1(1018 cm-3；活性區為一個量子井（well）與兩個披覆層（barrier）所組成的單一量子井結構，其材料成份為氮化銦鎵，其中量子井中銦的濃度為20%，厚度為2 nm，披覆層中銦的濃度為2%，厚度為5 nm；活性區之上則是一層p態的氮化鎵薄膜，厚度為0.1 μm，摻雜濃度為1(1017 cm-3；最後一層是p態的氮化鎵薄膜(cap layer)，其厚度及摻雜濃度與上一層薄膜相同。此外，元件的寬度為20 μm，共振腔長度為500 μm，前後鏡面反射率分別為85%與90%，整體的結構如圖一所示。 圖一、氮化銦鎵單一量子井雷射之初始結構圖 上述的結構設計中並沒有包含基板的設定，這是因為在